第1章 电路和电路元件(叶挺秀).pptVIP

部分二极管的照片 整流二极管 稳压二极管 发光二极管 光电二极管 1.5 双极晶体管 1.5.1 基本结构和电流放大作用 1.5.2 特性曲线和主要参数 1.5.3 简化的小信号模型 双极晶体管简称晶体管、三极管。 1. 基本结构和符号 NPN型 P N N C E B 集电结 发射结 发射区 基区 集电区 B E C PNP型 B E C P N C E B 集电结 发射结 发射区 基区 集电区 P 1. 基本结构和符号 ●两个PN结：发射结、集电结 ●三个电极：发射极E、基极B、集电极C ●三个区：发射区—杂质浓度高（多数载流子最多） 集电区—杂质浓度高,比发射区稍低 基 区—杂质浓度相对很低 2. 电流放大作用 条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 ☆载流子的运动和电流的形成： 发射结外电场→发射区大量电子载流子向基区运动，电源向发射区补充电子→发射极电流 IE。 进入基区的电子载流子少量与基区空穴复合，电源UBB向基区补充空穴→基极电流 IB。 集电结外电场→基区的大部分电子载流子进入集电区，并由电源收集→集电极电流 IC。 N N P E B C IC + UBB - + UCC - IB IE RB RC ☆电流放大作用： 小的基极电流变化量→大的集电极电流变化量，具有电流放大作用，电流控制作用——电流控制型器件。 IE IB+IC IB+IC≈IE 改变UBE→IB变化→ΔIB，ΔIB→ΔIC、ΔIE ΔIB+ΔIC≈ΔIE 1.5.2 特性曲线和主要参数 1. 共发射极输入、输出特性曲线 ☆输入特性曲线： 与二极管正向特性曲线类似。 ☆输出特性曲线： iB f uBE |UCE 常数 iC f uCE |iB 常数 B E C － + uBE － + uCE iC iB 80 40 0.4 0.8 UCE 1V uBE/V O iB/μA 2 uCE/V O iC/mA 4 6 8 2 4 6 8 100μA IB 0 饱和区 截止区 放大区 80μA 60μA 40μA 20μA 截止区：IB 0 曲线一下区域 特点：集电结、发射结均反向偏置，无放大作用，IC ICEO≈0 ，集电极与发射极相当于断开的开关——用于开关电路。 饱和区：UCE UBE的区域 特点：发射结、集电结均正向偏置，无放大作用, 有IC，但UCE UCES≈0（约0.3V），集电极与发射极相当于接通的开关——用于开关电路。 2 uCE/V O iC/mA 4 6 8 2 4 6 8 100μA IB 0 饱和区 截止区 放大区 80μA 60μA 40μA 20μA 放大区： IC βIB 特点：发射结正向偏置，集电结反向偏置，有放大作用——用于放大电路。 2. 主要参数 电流放大系数 穿透电流ICEO 集电极最大允许电流ICM 集电极最大允许耗散功率PCM 集电极—发射极反向击穿电压U BR CEO 1.5.3 简化的小信号模型 1. 受控源概念 受控源——非独立电源 输出电压或电流受电路中另一电压或电流的控制。 电压控制电压源（VCVS） 电压控制电流源（VCCS） 电流控制电压源（CCVS） 电流控制电流源（CCCS） 四种类型： 四种受控源符号： VCVS VCCS CCVS CCCS 2．晶体管的简化小信号模型 晶体管工作在放大区，即: B-E之间，工作在输入特性 的近似线性区，用电阻rbe模拟。 用电流控制电流源模型 。 rb 200Ω IE单位mA。 C-E之间，IC βIB。 IC与UCE基本无关。 部分晶体管的照片 1.6 绝缘栅场效应晶体管 1.6.1 基本结构和工作原理 1.6.2 特性曲线和主要参数 1.6.3 简化的小信号模型 1.6.1 基本结构和工作原理 类型： N沟道绝缘栅场效应管（NMOS） P沟道绝缘栅场效应管（PMOS） 增强型绝缘栅场效应管 耗尽型绝缘栅场效应管 1. 基本结构 ◆耗尽型NMOS管结构 G — 栅极 S — 源极 D — 漏极 耗尽型NMOS 在二氧化硅绝缘层中掺入大量正离子，不加UGS 在两个N +区之间存在N型导电沟道。 ◆ 增强型NMOS管结构 在二氧化硅绝缘层中掺入少量正离子，尚未形成导电沟道, 只有加入足够大的UGS时才形成导电沟道。 P沟道MOS管的符号 增强型NMOS G D S B 增强型PMOS 耗尽型PMOS G D S B G D S B 2. 工作原理 在D-S间外加电源UDD，加于G-S间的电压UGS变化时，漏极电流ID变化。 UGS控制ID— 电压控制型器件。 对耗尽型NMOS，UGS可正可负； 对增强型NMOS，UGS为正。 1.6.2 特性曲线和主要参数 1. 特性曲线 输出特性