储庆昕高等电磁场讲义 第十二章.docVIP

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储庆昕高等电磁场讲义 第十二章

第12讲 镜像原理(II) 12.1介质交界平面的镜像原理 首先研究二维线电荷关于介质交界面的镜像原理。如图12-1(a)所示,在和的半空间中分别填充介电常数为和的介质,交界面位于。在空间处放置一线电荷。各区域电位满足的支配方程为 (12-1) 交界面边界条件为: (12-2) 求空间中的电位时,设全空间只填充一种介质,在原线电荷的镜像位置处放置镜像线电荷,如图12-1(b)所示。求空间中的电位时,设全空间只填充一种介质,去掉原电荷,在原线电荷位置处放置镜像电荷,如图12-1(c)所示。 图12-1 介质交界面镜像原理 原问题 (b) 半空间镜像问题 (c) 半空间镜像问题 于是可得到各区域的电位表达式 (12-3) 和关于的导数为 (12-4) 利用边界条件(12-2),得 (12-5) 于是 (12-6) 如果从中除去,则新增加的电荷为。 如果原电荷是点电荷,可以证明,镜像原理完全一样,即,。 12.2 介质交界面平行导体平面的镜像原理 考虑一个由空气、介质和导体三层媒质组成的结构,在仅靠介质面的空气中放置一线电荷,如图12-2所示。现在利用镜像原理求解线电荷在空间产生的电位。这一问题的实际背景就是求微带的Green函数。 图12-2 介质交界面平行导体平面 分析的总原则是 在所考虑的区域内保持原电荷及媒质分布; 区域外的电荷和媒质可任意改变,但所有的分布应使边界上的电位满足边界条件。 首先,利用介质镜像原理和导体镜像原理确定的介质区域(区域2)的镜像问题。 将区域1和3也填充区域2的媒质,即整个空间填充媒质。镜像电荷的分布应满足如下规律: 在区域2中无电荷; 电荷分布应与y轴反对称,以满足的导体边界条件 电荷分布也应以对称,以满足介质边界条件。 为了满足处的介质边界条件,在区域1中处放置一线电荷,接着为了满足的导体边界条件,在区域3中处放置线电荷。然后再在区域1中处放置线电荷,以满足介质边界条件。再在区域3中处放置线电荷,如此继续,直至无穷。 图12-3(a)说明了这一过程。 电荷的位置为 对应的电荷为 所以,区域2中的电位为 (12-7) 图12-3介质交界面平行导体平面结构的镜像问题 介质区域的镜像问题 (b)空气区域的镜像问题 再利用介质镜像原理确定等效区域1的镜像电荷分布。确定区域1镜像问题的规律是 区域1中只有真实线电荷; 区域1只有一个边界,就是的介质面,电荷分布只需满足该边界条件。 应考虑区域2中导体边界对区域1的影响,但无需满足的导体边界条件 图12-3(b)表明了确定过程。为了保证介质边界条件,在区域2中处加电荷。导体对区域1的影响可以等效地看成图12-3(a)区域3中的电荷对区域1的影响,依照介质镜像原理,在这些电荷上应乘以因子。于是区域1中的电位为 (12-8) 最后求区域3中的电位,由于区域3为接地导体,故区域3的电位为。 下面检验上述解是否满足边界条件及支配方程。首先检验处的介质交界面条件。 (12-9) (12-10) 可见 (12-11) 再验证处的导数边界条件 (12-12) 根据(12-8)得 (12-13) 再根据(12-7)得 (12-14) 显然满足(12-12)。最后还应满足每个区域内的支配方程。由于电位均是由静电荷产生的,且各区域等效时镜像电荷并未进入区域,故所考虑的区域内电荷分布不变,所以各区域的电位一定满足该区域的Possion方程或Laplace方程。 三、介质球镜像原理 如图12-4(a)所示,介质球外一点电荷位于距球心处,介质球的半径为,相对介电常数为。现利用镜像原理求解该问题。将该问题分成两个区域,区域1:介质球外的空气,区域2:介质球内。在等效区域1时,区域2填充空气,并在处放上镜像电荷,如图12-5(b)所示。在等效区域2时,区域1中填充,在处放上电荷。于是两个区域中的电位为 (12-15) (12-16) 图12-5 介质球镜像原理 (a)原问题 (b)区域1的镜像问题 (c)区域2的等效问题 根

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