3.高频谐振功放1浅析.ppt

L/O/G/O 3.1 功率放大器概述 3.2 谐振功率放大器的工作原理 3.3 丙类功放的性能分析 3.4 晶体管功放的高频特性 3.5 谐振功率放大器电路 3.6 倍频器 3.7 功率合成技术 第3章 高频谐振功率放大器 功 放 按负载分 按工作频率分 按工作状态分 谐振功放（窄带）电抗性负载 非谐振功放（宽带）电阻性负载 低频功放－大多属于非LC谐振功放 高频功放－大多属于谐振功放 甲类、乙类、甲乙类功放 丙类、丁类功放 3.1 功率放大器概述 功率电子线路：高效率地实现能量变换和控制的一类电子线路。可分为功率放大电路和电源变换电路两类。 3.1.1 功率放大器 特点：工作在大信号状态。 性能要求： ① 安全 ② 高效率 ③ 失真小 　　 ?C ——集电极效率(Collector Efficiency) 　　 Po —— 输出信号功率 ；PD —— 电源提供的功率； 　　 PC —— 管耗 (Power Dissipation)/集电极耗散功率。 功率管的运用状态 ① 甲类：功率管在一个周期内导通 ，?c = ?。 ② 乙类：功率管仅在半个周期内导通，?c = ? /2。 　　③ 甲乙类：管子在大于半个周期小于一个周期内导通，? /2 ? ?c ? ? 。 ④ 丙类：功率管在小于半个周期内导通，?c ? ? /2。 功率管运用状态通常靠选择静态工作点来实现。 图 1–1–1　各种运用状态下的输出电流波形　 不同运用状态下的 ?C 管子的运用状态不同，相应的 ?Cmax 也不同。 减小 PC 可提高 ?C。 假设集电极瞬时电流和电压分别为iC 和vCE，则PC为 讨论：若减少 PC，则要减少 iC vCE 　　 方法 1：由甲类 ? 甲乙类 ? 乙类 ? 丙类，即减小管子在信号周期内的导通(增大 iC = 0)的时间。 　　方法 2：管子运用于开关状态(又称丁类)，即一周期内半饱和半截止。 　　饱和时，vCE ? VCE (sat) 很小 ? PC 很小； 　　截止时，iC 很小，iC vCE 也很小 ? PC 很小。 3.1.2 功率器件 功率管是功率放大电路的关键器件，为保证安全工作，需了解其极限参数及安全工作区。 　　以双极型功率管为例，安全工作区受如下极限参数限制： ① 最大允许管耗 PCM。与散热条件密切相关。 ② 基极开路集 - 射反向击穿电压 V(BR)CEO 。 ③ 集电极最大允许电流 ICM 。 一、功率管散热和相应的 PCM 管耗 PC 主要消耗在集电结上，使结温升高。 热崩(Thermal Runaway)： 　　集电结结温(Tj) ? ? iC ? ? PC ? ? Tj ? 如此反复，直至 Tj ? TjM(集电结最高允许温度)而导致管子被烧坏的一种恶性循环现象。 热传导过程 T2 为热源温度，T1 为空气温度，P 为传输的热功率，Rth 为热阻，单位 ℃/W 　　当热源产生热量时，热源温度 T2 上升，向外部传输热量，若产生的热量和传输的热量相等，达到热平衡。T2 不再变化。 Rjc Rcs Pc RCa Rsa 　　R(th)cs + R(th)sa R(th)ca 　Rth ? R(th)jc + R(th)cs + R(th)sa 各种散热片 各种功率晶体管 二、二次击穿 　　当集 - 射反向电压超过 V(BR)CEO 时，会引起击穿，但只要外电路限制击穿后的电流，管子就不会损坏，待集电极电压小于 V(BR)CEO 后，管子可恢复正常工作。 　　如果发生上述击穿，电流不加限制，就会出现集电极电压迅速减小，集电极电流迅速增大的现象，即为二次击穿。 　　后果：过热点的晶体熔化，集 - 射间形成低阻通道，引起　vCE下降，iC 剧增，损坏功率管，且不可逆。 图 1–1–5　图计及二次击穿时功率管的安全工作区 3.2 谐振功率放大器的工作原理 谐振功放：用谐振系统作为匹配网络的功率放大器。 图 2–1–1　谐振功率放大器原理电路 1．电路组成 一、丙类功放 图 2–1–2 由静态转移特性(iC-vBE)，得集电极电流 iC 波形：脉宽小于半个周期的脉冲序列。 傅里叶级数展开 iC为平均分量、基波分量和各次谐波分量之和。 2．集电极电流 iC 图 2–1–1　谐振功率放大器原理电路 3．输出电压 vo (1)对基波分量 　　阻抗最大，为谐振电阻 Re(谐振回路调谐在输入信号频率上，因而对 iC 中的基波分量呈现的阻抗最大，且为纯电阻)。 在高 Q 回路中，其 Re 近似为 式中， —— 回路总电容 —— 回路谐振角频率 —— 回路有载品质因数 (2)对非基波分量 　　阻抗很小(谐振回路对