电子技术基础数字部分(第五版)(康华光)第3章素材.ppt

数制转换 1. CMOS传输门 电路 符号 等效电路 C 在控制信号C的控制下，开关闭合或者断开。 3.1.7 CMOS传输门 双向模拟开关 3.1 MOS逻辑门 3.1.7 CMOS传输门 双向模拟开关 2、CMOS传输门电路的功能 C 0 1 3.1 MOS逻辑门 控制信号无效，开关断开 1 0 控制信号有效，开关闭合 C 需要说明的是，采用传输门作开关使用时，输入端可以是模拟电压，但其值必须在控制信号的高、低电平之间。 3.1.7 CMOS传输门 双向模拟开关 3. 传输门的应用 传输门组成的数据选择器如图所示。 C 0，C1 1，C1 0， C2 0 ， C2 1 TG1导通，TG2断开，L X C 1，C1 0，C1 1， C2 1 ， C2 0 TG1断开，TG2导通，L Y 这是一个2选1的数据选择器 C 0， L X C 1， L Y TG1 TG2 C2 0 1 C2 C1 C1 X 1 0 Y 3.1 MOS逻辑门 3.2 TTL逻辑门 3.2.1 BJT的开关特性 1. BJT的开关作用（BJT指双极结型晶体管） 当vI 0V，或者vI 5V，BJT相当于一个开关。 vI 0V，iB 0 ，iC≈0 ， vO vCE≈VCC，c、e极之间近似于开路, vI 5V， iC βiB， vO vCE VCES ≈0.2V，c、e极之间近似于短路。 c e 基本的BJT反相器 3.2.1 BJT的开关特性 2. BJT的开关时间 BJT饱和与截止两种状态的相互转换需要一定的时间才能完成。 ⑴开通时间ton 三极管从截止到饱和所需时间。 记为ton ton td +tr td ：延迟时间　　 tr ：上升时间 ⑵关闭时间toff 三极管从饱和到截止所需时间。 记为toff toff ts +tf ts ：存储时间 tf ：下降时间 开关时间一般为纳秒 10-9 数量级。 3.2 TTL逻辑门 3.2.2基本BJT反相器的动态性能 BJT反相器的动态性能 当基本BJT反相器带电容负载CL时，CL充、放电过程均需经历一定的时间，必然会增加输出电压 vO 波形的上升时间和下降时间，导致其开关速度不高。 电阻RC考虑： ①. 输出 “1”时，BJT截止，希望RC小，充电时间短，开关速度高； ②. 输出 “0”时，BJT导通，希望RC大，低电平更低，功耗小。 于是采用BJT管取代RC，希望RC小时BJT管导通；希望RC大时BJT管截止，由此设计出实用型TTL门电路。 3.2 TTL逻辑门 T3、D、T4和Rc4构成推拉式输出级。用于提高开关速度和带负载能力 中间级，T2和Rc2、Re2组成，从T2的集电极和发射极输出作为T3和T4输出级的驱动信号； 输入级 中间级 输出级 输入级，T1和Rb1组成。用于提高电路开关速度 3.2.3 TTL反相器的基本电路 1. 电路组成 取代RC 3.2 TTL逻辑门 3.2.3 TTL反相器的基本电路 2. TTL反相器的工作原理 1 .输入为低电平 vI 0.2 V 此种情况，UB1 0.9V 为使T1集电结及T2和T3发射结同时充分导通，UB1应等于2.1V。 UB1 UBC1+UBE2+UBE3 UB1 0.9V，T2和T3必然截止。 0.2 V 0.9 V 因此有：UC2 VCC－URC2≈5V。UC2使T4正向导通状态。 T3截止，T4导通， vO UOH UC2－UBE4－UD 5－0.7－0.7 3.6V。 此值未计入 Rc2上的压降，所以实际的UOH小于3.6V。 IC2≈0，Rc2的电流也很小，因而Rc2上电压很小。 3.6 V 3.2 TTL逻辑门 3.2.3 TTL反相器的基本电路 2. TTL反相器的工作原理 2 .输入为高电平 vI 3.6 V 此种情况，UB1 2.1V 因为T1集电结及T2、T3发射结会同时导通，把UB1钳在2.1V，UB1 UBC1+UBE2+UBE3 2.1V。 此时T1处于倒置放大状态，而T2和T3处于饱和状态。 3.6 V 2.1 V UC2 UCES2+UBE3≈0.2+0.7 0.9V，该电压作用于D、T4的PN结，D和T4截止。 T4截止、T3饱和，vO UOL UCES5≈0.2V 0.2 V vI使UB1足够小， T4?、T3 ?，vO ≈3.6V； vI不能使UB1 2.1V， T4 ?、T3 ? ，vO ≈0.2V。 悬空， vO ？ 3.2 TTL逻辑门 3.2.3 TTL反相器的基本电路 2. TTL反相器的工作原理 3 . 采用推拉式输出级以提高开关速度和带负载能力 一般T