材料地地研究的分析方法2-本科生.ppt

4、1931年貌相术出现和50年代末貌相术发展和应用，60年代出现的X射线干涉仪及应用。 晶体中局部缺陷：位错、层错、磁畴界、亚晶界、杂质的偏析等导致点阵畴?发生衍射强度的增强、减弱?造成局部的消光衬度或取向衬度?可以探明晶体的完整程度，测定缺陷的种类、分布、组态密度以及应力量及其指向，进而能够了解天然与人工合成晶体的手掌规律，研究缺陷的成因、运动、交互作用?X射线衍射衬貌相学。 5、20世纪60年代以来辛一代的辐射源和探测器设备进入实验室，X射线衍射获得新的生命力，发展了同步辐射X射线掠入射的表面结构分析术?对单原子层非常灵敏，因此GXIS已成为比低能电子衍射（LEED）研究表面结构更有效的方法。 衍射特点： 应用特点：广泛的晶体结构测定，在物理、化学、地学、材料科学、生命科学和各种工程技术中广泛应用： 1、在单晶材料方面 2、在金属、陶瓷、建筑材料、矿物等方面的研究 3、根据X射线定性、定量物相分析以及晶格常数随固溶度的变化等来测定相图或固溶度。 4、根据X射线衍射线的线形及宽化程度等来测定多晶试样中晶粒大小、应力和应变情况等。 特征X射线波长取决于阳极靶元素的原子序数，实验证明： （1）管电压超过激发电压时才能产生该元素的特征谱线，且靶元素的原子序数越大，其激发电压越高； （2）每个特征谱线都对应于一个特定的波长，不同阳极靶元素的波长不同，若管电流I和管电压V的增加只能增强特征X射线的强度，而不改变波长； I特＝CI V-V激 n （1-10） K系 n＝1.5 L系 n＝2 （3）不同阳极靶元素的原子序数与特征谱波长之间的关系由MoslayD定律确定： （一）X射线的散射 1、相干散射（弹性散射） 2、非相干散射（非弹性碰撞） 2、光电效应 光电效应是入射X射线的光量子与物质原子中电子相互碰撞时产生的物质效应。当入射光量子的能量足够大时，可以从被照射物质的原子内部（如K壳层）击出一个电子，同时外层高能态电子要向内层的K空位跃迁，辐射出波长一定特征X射线。 为了与入射X射线相区别?称由X射线激发所产生的特征X射线为二次特征X射线和荧光X射线。 这种以光子激发原子所发生的激发和辐射过程称为光电效应。被击出的电子称为光电子。 产生光电效应时，入射X射线光子的能量被消耗掉并转化为光电子的逸出功和其所携带的动能。也即，一旦产生X射线荧光辐射，入射X射线的能量必定被大量吸收，所以?K、?L、?M也称为被照射物质因产生荧光辐射而大量吸收入射X射线的吸收限。 显然，入射X射线光量子的能量h?必须大于或等于将此原子某一壳层的电子激发出所需要的逸出功Wk 3、俄歇（Auger）效应 五、吸收限的应用 1、滤波片的选择 §2、倒易点阵 一、倒易点阵的定义 设有一正点阵 将式（2-2）两边分别求模，就可以计算出 的模 倒易点阵常数 二、倒易点阵的性质 （1）倒易点阵矢量和相应正点阵同指数晶面相互垂直，并且它们的长度等于该平面族的面间距的倒数 三、晶面间距和晶面夹角的计算 利用倒易点阵方法还可以方便地导出晶面间距、晶面夹角等的计算公式： 四、晶带 晶体中平行于同一晶向的所有晶面的总体称为晶带，而此晶向称为此晶带的晶带轴，并以相同的晶向指数来表示。 凡属于[uvw]晶带的晶面，其面指数（hkl）必符合下列关系： hu+kv+lw 0 这是因为当（hkl）属于[uvw]晶向时，倒易点阵（矢量） 在实际工作中，将晶面族（hkl）的n级衍射作为设想的晶面族（nh,nk,nl）的一级衍射来考虑： （一）结构因子 一般地说，晶胞内原子位置发生改变，将使衍射强度减弱甚至消失，证明布拉格方程是反射的必要条件，而不是充分条件。 事实上，若A原子换为另一种B原子，由于A、B原子种类不同，而X射线散射的波振幅也不同，所以，干涉后强度也要改变，在某些情况下甚至衍射强度为零，衍射线消失。 因此，把因原子在晶体中位置不同或原子种类不同而引起的某些方向上的衍射线消失的现象?“系统消光” 据系统消光的结果以及通过测定衍射线强度的变化，就可以推断出原子在晶体中的位置。 定量表征原子排布以及原子种类对衍射强度影响规律的参数?“结构因子” 1、一个电子对X射线的散射 被电子散射后的X射线是射向四面八方的，其强度I的大小与入射束的强度I0和散射角度有关。一个电子将X射线散射后，在距电子为R处的强度可表示为: 分析上式可以看出，电子对X射线散射的特点是： （1）散射线强度很弱，约为入射强度的几十分之一 （2）散射线强度与到观测点的距离的平方成反比，可以算出在距离电子1cm处，Ie/I0仅为7.94?10-26 （3） 2、一个原子对X射线的散射 原子的散射，实际上主要是原子中的电子的散射波的叠加，由于原子中电子云的分布范围与X射线波长具相同的数量级，因此，考虑原子