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FET 三种组态电路性能比较 小 大 小 大 大 ? 1 大 大 大 共源 共栅 共漏 Ri Ro Av 第 4 章　放大器基础 RD RG vs + - RL + - vo RS + - vi R?S vs + - RL + - vo R?S RS RD vi + - RG vs + - RL + - vo RS + - vi R?S 4.3.5　集成 MOS 放大器 　　集成 MOS 放大器与分立 MOS 放大器电路结构相同，只是为了提高集成度，集成 MOS 放大器中的负载电阻采用了以不同方法实现的有源电阻。 集成 MOS 放大器类型： NMOS 放大器 CMOS 放大器 放大管 NEMOS 负载管 NEMOS 放大管 NEMOS 负载管 NDMOS E/EMOS 放大器 E/DMOS 放大器 放大管、负载管均为 E 型 但沟道互补 第 4 章　放大器基础 E/EMOS 放大器 VDD + - vo + vi T2 T1 - 要求两管工作在饱和区， 由于 gm2vgs2 -gm2vo ， 则受控源 gm2vgs2 等效为电阻：1/gm2 因 gmu2vus2 -gmu2vo ， 则受控源 gmu2vus2 等效为电阻：1/gmu2 即 ， 第 4 章　放大器基础 交流通路 + - vo + vi T2 T1 - g2 s2 g1 s1 gm1vgs1 + - vo + - vi rds1 g1 s1 rds2 gm2vgs2 gmu2vus2 微变等效电路 电压增益： 其中 ?2 0.1 ~ 0.3 由于 MOS 管跨导 所以 小于 10 倍 第 4 章　放大器基础 gm1vgs1 + - vo + - vi rds1 g1 s1 rds2 gm2 1 gmu2 1 简化等效电路 E/DMOS 放大器 要求两管工作在饱和区： 由于 vgs2 0 ， 因此受控源 gm2vgs2 开路。 因 gmu2vus2 -gmu2vo ， 则受控源 gmu2vus2 等效为电阻：1/gmu2 ， 即 VDD + - vo + vi T2 T1 - VDD 简化等效电路 几十倍 第 4 章　放大器基础 vo gm1vgs1 + - + - vi rds1 g1 s1 rds2 gmu2 1 波特图 在半对数坐标纸上描绘的频率特性曲线即波特图。 O f /Hz A f /dB O f /Hz ?A f 幅频特性 相频特性 对数刻度 对数刻度 线性刻度 线性刻度 增益分贝值： 通频带： 对应上限频率 fH 及下限频率 fL 。 AI AI 2 fH fL 第 4 章　放大器基础 频率特性的三个频段 中频段：通频带以内的区域。 放大器的增益、相角均为常数，不随 f 变化。 特点： 原因： 所有电抗影响均可忽略不计。 高频段： f fH 的区域。 频率增大，增益减小并产生附加相移。 特点： 原因： 极间电容容抗? ? 分流? ? 不能视为开路。 即极间电容开路、耦合旁路电容短路。 低频段： f fL 的区域。 频率减小，增益降低并产生附加相移。 特点： 原因： 耦、旁电容容抗? ? 分压? ? 不能视为短路。 第 4 章　放大器基础 幅度失真与相位失真 实际输入信号含有众多频率分量，当通过放大器时： 若不同频率信号呈现不同增益 幅度失真 相位失真 幅度失真与相位失真统称放大器的频率失真。 若不同频率信号呈现不同相角 由于频率失真由线性电抗元件引起，故称线性失真。 注意：线性失真不产生新的频率成分。 一般音频放大器的频率失真主要指幅度失真。 视频放大器的频率失真则包括幅度失真与相位失真。 第 4 章　放大器基础 　　指放大脉冲信号时，电抗元件上的电压或电流不能突变而引起的失真。 瞬变失真 R C + - vi - vo + vi t 1 O vo t 0.1 0.9 tr R C + - vi - vo + vi t O vo t t1 ? vo t ? 1 第 4 章　放大器基础 非线性失真 非线性失真由三极管产生，它产生了新的频率成份。 假设三极管基射间外加电压： 则 利用傅里叶级数展开得： 非线性失真系数： 第 4 章　放大器基础 　　根据三极管 场效应管 在放大器中的不同接法，放大器分为三种基本组态。 4.3　基本组态放大器 T + - + - VCC RC vi vo 共发 T + - + - VCC RE vi vo 共集 T + - + - VCC RC vi vo 共基 无论何种组态放大器，分析方法均相同。 1 由直流通路确定电路静态工作点。 注意： 2 由交流通路画出小信号等效电路，并进行分析。 第 4 章　放大器基础 共发射极放大