5.2-3 二极管及应用电路.pptVIP

Hengyang normal university Department of P.E.I.S. 基本结构 PN结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。 点接触： 半导体二极管 P（A）阳极＋ ＿ N（K）阴极 面接触型： 代表符号： 符号中箭头方向表示的意义？ 伏安特性：描述二极管性能 U I 死区电压（门坎电压）硅管0.5V,锗管0.2V。 反向截止 导通压降: 硅管0.6-0.7V,锗管0.2-0.3V 反向击穿电压U(BR) 二极管V-I特性的表达式 iD是通过二极管的电流，vD是二极管两端的电压，VT是温度的电压当量: VT =k T/q =0.026V。 常见的半导体二极管 二极管主要参数 （1）最大整流电流 IOM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 （2）反向击穿电压VBM 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压VWM一般是VBR的一半。 （3）反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流会受温度影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要大几十到几百倍。 在电子技术中，二极管电路应用广泛，本节只介绍几种基本电路，如限幅电路、整流电路、低电压稳压电路、检波电路等。 二极管基本电路及其分析方法 正弦交流电函数描述及波形图： u(t)=Vmsin(ωt+θ) ω / θ Vm t V T=2π/ ω=1/f 正弦交流电 P60-63 θ= 0 交流电的三要素：初相角θ、幅值和频率 幅值 Um 幅值,又称最大值。 有效值U 与幅值Um的关系为 频率：每秒内交流电变化的次数，称为频率f（Hz），交流电变化一次所需要的时间称为周期T（s）。频率与周期的关系为： f ＝50Hz 称为工频。 ω （red／s） 称为角频率。 ω＝2πf ＝ 二极管正向V-I特性模型 1、理想模型:单向导通VD=0V 2、恒压降模型:硅管VD=0.7V，锗管VD=0.3V （iD=1mA) 限幅电路 R Vi ＋ － VO ＋ － D Vi t VO t 假设二极管为理想模型 限幅电路 Vi t Vi ＋ － VO ＋ － D 3v VO t 3v 假设二极管为理想模型 开关电路 F A B D1 D2 +5V 3.9K R 0V 5V VA VB VF 0V 0V 0V 5V 5V 0V 5V 5V 5V 0V 0V 0V 假设二极管为理想模型 低电压稳压电路 R VDD 1K 1.4V R D ID VD ＋ － VDD 0.7V RL VS ＋ － D VL ＋ － VS t VL t VL t 二极管为恒压降模型: 半波整流电路 VL t VS ＋ － RL VL ＋ － D4 D1 D2 D3 VS t VS D1 D2 D3 D4 VL= 正半周 通 截 通 截 VS 副半周 截 通 截 通 -VS 全波整流电路 整流电路分析 1、由电路原理图分析输入正弦交流电，二极 管的导通、截止情况，进而确定输出电压 波形情况 2、计算一个周期内输出电压及输出电流平均值 3、由电压分配关系，合理选择整流二极管： 最大整流电流ICM、最大反向峰值电压URM 作业 P154习题： 8、11 下次课内容：稳压二极管 重点：稳压二极管特性 难点：稳压二极管特性 提 示 * Hengyang normal university Department of P.E.I.S. *