微电子器件(2-8).pptVIP

2.8 各种二极管 二极管除了利用pn结的整流特性以外，还有各种类型的工作机理，其典型的类别示于表1。 二 极 管 种 类 工 作 原 理 检波管 Pn结整流作用 整流器 pn结整流作用 开关二极管 pn结整流作用 低电压二极管 Pn结的击穿特性 变容二极管 Pn结耗尽层电容量 肖特基势垒二极管 金属-半导体接触的整流作用 * 检波器(检波用二极管)用于微小交流信号电路的小信号整流二极管，多用于高频波。为此，尽可能将结容量做小，一方面结面积要做小，另一方面要做成尽量抑制容器的分布静电容的结构。 对大电流进行整流的器件称为整流器(整流二极管)，额定电流为数毫安至数千安[培]，反向耐压从数十伏至数千伏，这些元件都已实现产品化。电力用二极管的器件剖面如图1所示，是一个p+nn+结构，n层的宽度要小于载流子的扩散长度。 * * 为了使通常pn结的正向压降减小，p和n区域的电阻值必须做小。这样一来，如前面所述，由于耗尽层难以展宽，反向耐压变低。要预防这种后果，可在高耐压的二极管里，将高电阻的n型硅，做成以低阻的p型(p+)和n型(n+)交错重叠的结构。这样，p+n结产生的耗尽层能向整个n型区域扩展，可以耐受高电压。只是pn结接触外部气氛的表面部分，由于高电压而会发生沿面放电，为了防止表面恶化而制作成斜角结构，使沿表面距离变大，并涂覆硅橡胶等加以钝化保护。 只是pn结接触外部气氛的表面部分，由于高电压而会发生沿面放电，为了防止表面恶化而制作成斜角结构，使沿表面距离变大，并涂覆硅橡胶等加以钝化保护。 * 一方面，在正向偏置时，大量空穴从p+区注入n区域，经扩散后流入到n+区，为了中和该n区域中大量过剩的空穴，从n+注入电子，由于这些高浓度的载流子，使n区域成为低电阻，将这个现象称为电导率调制，其结果使正向压降减小，从而，减小了二极管功耗。n区域的过剩载流子，即使去掉正偏也不会立即消失，所以，反向阻断能力不能立即恢复。将回到阻断恢复所需时间称为反向恢复时间。功率器件的开关速度几乎被这个恢复时间所左右。以高速开关电路为目的所用的小型二极管，称为开关二极管。掺入金等缩短载流子寿命的杂质，可以使反向恢复时间做到10-8～10-9s左右。 * 稳压二极管利用了当pn结击穿时，即使反向电流再增加，反向电压也能保持几乎不变的特性。利用这一特性的二极管称为齐纳二极管。击穿电压在4V左右以下时，随着温度上升击穿电压变低的称为齐纳击穿，而在大约6V以上时，随着温度升高击穿电压变高的称为电子雪崩击穿，由这些击穿产生陡直上升的反向电流。5V—左右时，两种击穿机构交叠，使击穿电压的温度依赖性变小。击穿电压(齐纳电压)2～400V左右的各种齐纳二极管被广泛使用在稳压电路、保护电路、基准电压电路以及限幅器等电路中。 * 由于pn结加电压，使结的耗尽层厚度变化，其效果恰如一个电容器极板间距的变化，变容二极管就是利用这一电容量变化效应做成的二极管。为了使容量对电压的依赖关系变大，对pn结的杂质浓度分布作了各种努力，这种电容量的变化广泛用在同步电路的调谐和调频等电路中。电视机调谐器的调谐二极管等就是近在身边的应用实例。 * n型硅和金属相接触时，由于它们之间的功函数(使电子从某物质逸出到真空中所需要的能量)差，会在界面附近建立一个与pn结相类似的势垒。称之为肖特基势垒。当肖特基势垒的n型硅一侧加正电压、金属一侧加负电压时就会有电流流通”。当所加电压相反时，如同pn结加反向偏压一样，就没有电流流动，这就是肖特基势垒所具有的特征，也即具有整流特性，所以称它为肖特基势垒二极管。 * 它与pn结二极管的基本区别，仅仅是金属同电阻(n型硅)的接触，所以没有所谓的载流子的注入。因此，不存在像pn结型整流二极管那样的被储存的载流子纠缠住的反向恢复，所以能够非常快的开和关。而且，通过金属材料可以调节肖特基势垒的高度，与pn结相比，能使正向阈值电压变小。 * 为了消除电导率调制，如将硅的电阻值和厚度做大，则由于正向电阻变高，二极管的功耗变大，所以不可能做成很高耐压。作为外加电压几十伏左右以下的低压、低功耗电力整流器或者作为高速二极管获得了广泛应用。额定电压1200V量级的二极管和40V量级的肖特基势垒二极管的正向特性如图3．3所示。 * 此外，应用于千兆赫频带的放大器和微波振荡器等中还有碰撞雪崩渡越时间器件(工MPATT)和耿氏二极管(Gunndiode)。前者利用了由硅pn结中的雪崩效应产生的在微波领域的负阻特性,后者则利用了砷化镓体电阻在高电场中的负阻特性，限于篇幅，不再详述。 *