半导体器件物理思考题.docVIP

（）对于半导体：提高n型半导体的施主掺入浓度，问：电子浓度和空穴浓度分别是增加还是减小？为什么？提高半导体的掺杂浓度，问：半导体元器件的最高工作温度是增大还是降低？为什么？ （）对于图中的 a 、 b 半导体：分别处于什么状态（热平衡状态还是非平衡状态）？其中的掺杂浓度分别均匀与否？分别是否存在电场（若存在的话，是内建电场还是外加电场）？ （）为什么半导体中数量很小的少数载流子可能会起很大的作用？（）为什么BJT 的很小基极电流，可以输出很大的集电极电流？（）对于npn-BJT：减小基区宽度的主要好处和坏处分别有哪些？增大基区掺杂浓度的主要好处和坏处分别有哪些？（）对于半导体：根据载流子的热平衡条件，提高n型半导体的施主掺入浓度，则电子浓度增大，空穴浓度减小；提高半导体的掺杂浓度，则半导体元器件的最高工作温度升高，因为本征化的温度（电子浓度 空穴浓度时的温度）升高了的缘故。 （）对于图（a）：Fermi能级拉平→热平衡状态；导带底和价带顶倾斜→存在电场；导带底或者价带顶与Fermi能级的距离各点不同→掺杂浓度不同，即是掺杂不均匀的半导体→内建电场。这说明：热平衡半导体中也可以存在电场！ 对于图（b）：Fermi能级倾斜→非平衡状态（有外加作用）；导带底和价带顶倾斜→存在电场；导带底或者价带顶与Fermi能级的距离各点相同→半导体的掺杂均匀→无内建电场，则有外加电场。实际上，