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DOP07AMJ/QOP07AMJ抗静电高精度低漂移双/四运算放大器 概述 该电路是由OP07A芯片及保护元件组成的厚膜混合集成电路，主要电参数优于单片OP07A。特点是失调电压为10μV，失调电压温度系数为0.2μV/℃，长期稳定度为0.2μV/月，无需外补偿和保护元件。 主要应用于电子系统前置放大、误差放大、直流信号放大、直接耦合放大、仪表放大器、双路匹配放大等要求高精度、低漂移、高可靠及抗静电等信号处理的场合。适用于国防、军用和工业领域中要求微型化的高性能仪器仪表中。 该器件具有优异的抗静电能力，静电损伤阈值电压大于4000V（普通OP07的静电损伤阈值电压约为700~1000V）； 器件的抗电浪涌性能显著增强； 更低的输入失调电压，无需外调零； 除了提高集成度外，两个/四个运算放大器的参数一致性好。 电原理图（单运算放大器）三、封装形式及引出端功能 DOP-07AMJ采用F08-04A陶瓷扁平外壳封装，外形尺寸见附录一图9。 （顶视图）QOP-07AMJ采用MP-14b双列金属全密封外壳封装，外形尺寸见附录一图11。（顶视图）电源电压 ±22V 输出短路时间 持续 输入电压 ±22V 工作温度范围 -55~+15℃ 耗散功率 00mW（F08-04） 引线焊接温度（10s） +℃ 800mW（MP-14b） 除非另有说明，VCC +15V，VEE 15V，-55℃≤TA≤+125℃。 参数 符号 测试条件 规范值 单位 最小 典型 最大 输入失调电压 VIO TA +25℃ 10 25 μV 20 80 输入失调电压 温度漂移系数 αVIO 0.2 1.0 μV/℃ 失调电压长时间稳定性* VIO/T TA +25℃ 0.2 1.0 μV/mo 输入失调电流 IIO TA +25℃ 0.3 5.0 nA 1 10.0 输入偏置电流 IIB TA +25℃ ±0.7 ±5.0 nA ±1.0 ±10.0 输入噪声电压密度* en TA +25℃ 10Hz fO 100Hz fO 1000Hz 10.3 10.0 9.6 18.3 13.0 11.0 nV/ 输入噪声电压* enp-p TA +25℃0.1~10Hz 0.35 0.6 μVp-p 输入噪声电流密度* In TA +25℃ 10Hz fO 100Hz fO 1000Hz 0.32 0.14 0.12 0.80 0.23 0.17 pA/ 输入噪声电流* Inp-p TA +25℃0.1~10Hz 14 30 pAp-p 差模输入电阻** RIN TA +25℃ 30 80 MΩ 共模输入电阻** RINCM TA +25℃ 200 GΩ 输入电压范围** VIR TA +25℃ ±13.0 ±14.0 V 共模抑制比 CMRR TA +25℃VCM ±13V 100 126 dB 电源电压抑制比 PSRR TA +25℃VS ±3~±18V 100 110 dB 开环电压增益 AVD RL≥2kΩ TA +25℃ 110 120 dB 100 110 最大输出电压幅度 Vopp RL≥10kΩ TA +25℃ ±12.5 ±13 V RL≥2kΩ ±12 ±12.5 转换速率* SR TA +25℃RL≥2kΩ 0.1 0.3 V/μs 单位增益带宽* BW TA +25℃AVCL +1.0 0.4 0.6 MHz 开环输出电阻* RO TA +25℃VO 0,IO 0 60 Ω 静态功耗 单路运算放大器 PD TA +25℃ VS ±15V 75 120 mW VS ±3V 4 6 抗静电损伤阈值电压* ESD 人体模型 4.0 5.5 kV 1．高增益精密差分放大器 2．精密加法器 八、应用注意事项 1．应用时必须在正负电源对地加旁路电容C1、C2。 2．输出电流控制在±10mA以内能够获得最佳的线性度。 3．对于等效的负载电容大于500pF时，应在输出端与负载之间接50Ω退耦电阻。