缺陷层折射率对一维光子晶体滤波特性影响的研究.docVIP

缺陷层折射率对一维光子晶体滤波特性影响的研究 　　摘要 本文采用传输矩阵法研究了缺陷层的折射率对一维光子晶体滤波特性的影响。选取高折射率4.1，中折射率2.58，低折射率1.35，研究表明，当缺陷层为中折射率时，禁带中只有一个透射峰，缺陷层折射率每增加0.01，透射峰的中心红移1nm；当缺陷层为低折射率时，禁带中会出现两个透射峰，缺陷层折射率每增加0.01，左边的透射峰中心交替蓝移1nm或2nm，右边的透射峰中心红移1nm；当缺陷层为高折射率时，禁带中也会出现两个透射峰，缺陷层的折射率每增加0.01，左边的透射峰中心红移3nm，右边的透射峰中心蓝移4nm。在含有缺陷层的一维光子晶体中，介质的排序对禁带的特性会产生影响。 　　关键词 滤波特性；折射率；光子晶体；缺陷层 　　中图分类号 O43 文献标识码A 文章编号 1674-6708（2014）112-0134-02 　　0引言 　　光子晶体是折射率周期性排列而形成的一种人工结构材料，它的特殊结构使得一定频率范围内的光波不能透过，从而形成光子禁带。自光子晶体的概念被提出以后，人们对其做了大量的研究。在光子晶体中引入缺陷后，可以改变其原来的光学传输特性，可能出现频率极窄的缺陷态。苏安等人利用一维光子晶体的缺陷层来实现多通道滤波。沈杰等人对双缺陷模一维光子晶体的双光子吸收的增强做了研究，采用了真空镀膜工艺制备了含两个CdS缺陷层的TiO2/SiO2一维光子晶体，认为两个缺陷层的厚度不同，缺陷层内的电场强度也不同。舒森等人研究了一维光子晶体滤波器的设计，认为光波入射角度、缺陷的厚度等都是影响滤波器设计的因素。本文重点研究了缺陷的折射率对一维光子晶体滤波特性的影响。 　　1 理论推导 　　折射率n1、n2，厚度为a、b的两种介质交替周期排列组成一维光子晶体，周期厚度d=a+b，假设所研究的介质是各向同性的，非磁性的。选取的缺陷模型，空气折射率n0=1。 　　 　　图1一维含缺陷层的光子晶体结构示意图 　　根据薄膜光学理论，光在每层介质中的传输特性可用一个的特征矩阵表示，对于第j层介质，其特征矩阵为： 　　 　　 　　 　　 　　其中， 　　 　　 　　 波 　　波 （2） 　　nj、dj为该介质层的光学厚度，θj为光线在该介质层中与界面法线方向的夹角，λ为入射光的波长。 如果一维光子晶体加入缺陷层后，则总体特征矩阵为： 　　 　　 （3） 　　把一维光子晶体处于折射率为1的空气中，则光子晶体对光波的反射系数为: 　　 （4） 　　反射率：（5） 　　透射率：（6） 　　当反射率R=1时，形成光子晶体禁带。 　　2.数值计算结果与分析 　　2.1中折射率介质作为缺陷层 　　取高折射率n1=4.1（碲化铅），中折射率n2=2.58（硒化锌），低折射率n3=1.35（冰晶石），把中折射率介质作为缺陷层C。图2为一维光子晶体缺陷态的特征图。 　　 　　图2 一维光子晶体缺陷态的特征图。 　　图2表明，加入缺陷后，禁带内出现了一个很高的透射峰。取N=5，光波垂直入射，介质的光学厚度，经过多次仿真计算得透射峰带宽是0.003nm，并抽象出透射峰的中心波长随缺陷层折射率的变化关系，数据如表1所示。 　　缺陷层 　　折射率 透射峰的中心/nm 透射率/% 缺陷层折射率 透射峰的中心/nm 透射率/% 　　2.54 2257 95.26 2.59 2262 98.01 　　2.55 2258 1 2.60 2263 99.93 　　2.56 2259 96.30 2.61 2264 96.72 　　2.57 2260 86.32 2.62 2265 90.01 　　2.58 2261 90.01 2.63 2266 87.98 　　 　　表1透射峰的特征随中折射率缺陷层的变化 　　由表1可以看出，透射峰的中心位置随缺陷层的折射率线性变化，折射率每增加0.01，透射峰的中心位置红移1nm，同理，折射率每减少0.01，透射峰的中心位置蓝移1nm。利用这一线性变化关系，可以通过微调折射率实现透射峰中心的平移。 　　2.2 低折射率介质作为缺陷层 　　在2.1节中，若把低折射率介质作为缺陷层，由图3可以看出，此时禁带中出现了两个很高的透射峰，经计算透射峰的带宽都在0.003 nm左右。 　　 　　图3 低折射率介质作为缺陷层时的禁带特征图 　　如果微调缺陷层的折射率，透射峰的特征会发生变化，统计数据如表2所示。 　　缺陷层 　　折射率 右边透射峰中心/ nm 透射率/% 左边透射峰中心/nm 透射率 　　/% 　　1.31 1710 99.99 1417 94.53 　　1.32 1711 99.9