微电子器件(2-4)讲解.pptVIP

* * 2.4 PN 结的击穿 雪崩倍增 隧道效应 热击穿 击穿现象 击穿机理： 电击穿 2.4.1 碰撞电离率和雪崩倍增因子 在耗尽区中，反向电压 就会使被碰撞的价带电子跃迁到导带，从而产生一对新的电子空穴对，这叫做 碰撞电离。 电子（或空穴）在两次碰撞之间从电场 E 获得的能量为 1、碰撞电离率 一个自由电子（或空穴）在单位距离内通过碰撞电离产生的 新的电子空穴对的数目 称为电子（或空穴）的 碰撞电离率，记为 ?in（或 ?ip ）。 ?i 与电场 E 强烈有关，如下图所示 可用如下经验公式近似表示 或 2、雪崩倍增因子 包括碰撞电离作用在内的流出耗尽区的总电流与未发生碰撞电离时的原始电流之比，称为 雪崩倍增因子，记为 M 。 P 区 N 区 原始电流： 因碰撞电离而增加的电流： 所以： 同理，由于电子的碰撞电离在 dx 距离内新增的流出 ( x+dx ) 面的空穴数目为 单位时间内流过位于 x 处单位面积的空穴数目