微电子器件双极型晶体管寄生电容的测量实验报告讲解.docVIP

双极型晶体管特性的测量与分析 课程实验报告 实验名称 双极型晶体管特性的测量与分析 系 别 通信工程 姓 名 郑滔 学 号 座机电话号码68 班 级 微电子122班 实验地点 6503 实验日期 2014年12月25日 评 分 指导老师 姚尧 同组成员 刘明（座机电话号码53）: 张露漩 座机电话号码78 : 刘佳欣 座机电话号码66 : 杨豪 座机电话号码51 : 杨倩 座机电话号码84 1:1:1:1:1 一、实验内容（含实验原理介绍）： 1、测量晶体管的输入特性曲线和输入电阻Ri；原理如下所示： 在共射晶体管电路中，输出交流短路时，输入电压和输入电流之比为Ri，即 ；它是共射晶体管输入特性曲线斜率的倒数。所以通过输入特性曲线得到Ri的方法只需要截取输入特性的一部分，计算出它的斜率即可得到Ri： 输入特性曲线： 输出特性曲线、转移特性曲线和β、hFE、；原理如下所示： 在共射电路中，输出交流短路时，输出电流和输入电流增量之比为共射晶体管交流电流放大系数β。在共射电路中，输出端短路时，输出电流和输入电流之比为共射晶体管直流电流放大系数hFE。输出电流与输入电流之比即为α。调节峰值电压得到输出特性曲线，由定义可以得到参数的值为： 注：β＞hFE主要是因为基区表面复合等原因导致小电流β较小造成的。 在共射晶体管输出特性曲线中，当IB为某一值时可读测