ch+08c.ppt.pptVIP

*/38 電子學 第八版 Floyd 第八章 場效電晶體 場效應電晶體的概念首先由物理學家和發明家Julius Lilienthal提出，並在1930年獲得美國專利。 摘要 他的想法以後再被研究發展成FET，當時並沒有材料可製造該元件，直到1950年才製造出實用的FET，目前FET廣泛使用於積體電路。 場效電晶體 JFET 接面場效電晶體 是一個平常導通的元件，如圖所示是一個n通道的元件。若相對於源極，汲極的電壓是正電壓，且閘極源極間沒有電壓，就會有電流在通道流動。 摘要 當FET的閘極是負電壓時，電場會造成通道狹窄，引起電流減少。 D 場效電晶體 如同雙極性電晶體的偏壓，有兩類JFET：n通道和p通道。直流電壓對每種類型的極性是相反的。 摘要 如圖所示是一個n通道的JEFT，具有適當極性的偏壓。對一個n通道的元件，閘極隊對源極總是工作在負電壓 或零伏特 D 閘極 源極 汲極 場效電晶體 如圖所示，在一個JEFT的特性曲線，可分成三個區域。在這個例子 VGS 0V。 摘要 在A 和 B 之間是歐姆區，在這裡電流和電壓的關係是歐姆定律。 D 從B 到C 是動作區 或定電流區 在這裡電流對VDS本質上是獨立的。 超過C的部份是崩潰區，在這裡動作可能會破壞 FET。 歐姆區 動作區 定電流區 夾止電壓 崩潰區 VGS 0 場效電晶體 當VGS被調整到不同的電壓值時，在VDS 與ID之間發展成這個元件的特性曲線家族。 摘要 D 如圖所示是一個n通道特性曲線。注意VP 是正的且與VGS off 大小相同。 場效電晶體 ID與VGS的圖稱為轉移曲線。轉移曲線是繪出輸入電壓 VGS 與輸出電流 ID 的關係。 摘要 轉移曲線是根據這個方程式 透過代入法，你可在這個繪出通用的曲線找到其他的點。 IDSS 2 0。3 VGS off 0。5 VGS off IDSS 4 場效電晶體 一個編號為2N5458 的JFET 其IDSS 6.0 mA ，VGS off – 3.5V。 摘要 a 在轉移曲線顯示出這些終點值的大小。 b 當ID 3.0 mA時顯示這點的大小。 6.0 mA -3.5 V b 當 ID ? IDSS， VGS 0.3 VGS off 。 因此，VGS -1.05 V -1.05 V 3.0 mA 場效電晶體 順向互導是改變輸入電壓 DVGS 時，引起輸出電流變化 △ID 的比值。 摘要 假如gm0是已知，下面的近似公式可計算出 gm。 DID DVGS gm0 可由下列式子算出 這定義是 場效電晶體 因為沿著曲線每點的斜率會變化，互導的值並不是固定的，所以互導的值取決於所測量的點 。 摘要 JFET在顯示的點的互導是多少？ 5.7 3.7 -0.7 -1.3 3.33 mS JEFT的輸入阻抗由公式得到： 摘要 JFET輸入阻抗 規格表顯示在VGS -20 V時，25 oC的IGSS –1 nA 而在100 oC時IGSS 0.2 mA。比較2N5485在25 oC與100 oC時輸入電阻的改變。 在 25 oC， 其中IGSS 是在閘極逆向偏壓時的電流，JEFT有很高的輸入電阻，但是當溫度上升時輸入電阻會減少。 20 GW! 在 100 oC， 100 MW JFET 偏壓 自给偏壓是簡單而且有效，因此是JFET最常使用的偏壓方法，由於自给偏壓，閘極電壓實質上是 0V。 摘要 如圖所示是一個N通道JEFT，電流流過RS形成一個必要的反相偏壓，強迫閘極電壓比源極小。 假設電阻值如圖所示，且汲極電流是3.0 mA。 VGS是多少？ +12 V 1 .5 kW 330 W 1.0 MW VG 0 V; VS 3.0 mA 330 W 0.99 V VGS 0 – 0.99 V - 0.99 V 自给偏壓電路，你可以使用轉移特性曲線得到合理的源極電阻值。 摘要 你將Q點設在如圖顯示的點，RS是多少？ 375 W JFET 偏壓 Q Q點大約在 ID 4.0 mA 及 VGS -1.25 V。 分壓器偏壓是組合電壓分壓和源極電阻，保持源極電壓比閘極電壓正。 摘要 JFET 偏壓 VG 由分壓器設定且不受VS影響。為了維持閘極相對於源極是負電壓， VS 必須大於VG。 分壓器偏壓在更換不同電晶體時可保持偏壓穩定。 如圖所示是一個分壓器偏壓的圖解分析，一個2N5485的典型轉移曲線顯示 IDSS 6.5 mA且VGS off -2.2 V。 摘要 JFET 偏壓 VG 2.79 V VG/RS 2.79 mA 2.79 V 連接到這個點建立負載線。 Q 由 VG 開始：