電界放出.ppt

物理システム工学科３年次物性工学概論第5回光る半導体　 佐藤勝昭 復習コーナー半導体の光学現象 半導体とは何か 半導体にはどんな物質があるか バンド構造とバンドギャップ 半導体の透過色、反射色 吸収スペクトル：バンド間遷移 シリコン結晶の金属光沢の原因は？ 復習コーナー半導体とは何か 半導体の抵抗率の範囲とバンドギャップ (佐藤?越田：応用電子物性工学　図4.2) 復習コーナー半導体の電気抵抗の温度変化 金属と半導体の電気抵抗の温度変化の比較 復習コーナー導電率、キャリア密度、移動度 導電率?、キャリア密度n、移動度?の間には 　? = ne? の関係式が成り立つ。 抵抗率?と導電率?の関係は ?=1/? である。 移動度とは、単位電界E[V/cm]によって得られる平均速度v[cm/s]を表し、v=?E である。 例：1?mのシリコン膜の表裏の間に1Vの電圧を印加したとき、E=104V/cm、シリコンの?=1000cm2/Vsとしてv= ?E =107cm/sとなる。 このときの導電率はキャリア数1016cm-3として? = ne? =1016?1.6 ?10-19 ?103=1.6S/cm: ?=0.625?cm 復習コーナー周期表と半導体 復習コーナー半導体の結晶構造 ダイヤモンド構造 閃亜鉛鉱(ジンクブレンド)構造 黄銅鉱(カルコパイライト)構造 復習コーナーバンド構造による金属?半導体の区別 復習コーナーエネルギー帯の考え方 自由電子からの近似 Hartree-Fockの近似 電子を波数k=2π/λの平面波として扱う E=(?k)2/2m 放物線バンド 孤立原子に束縛された電子からの近似 Heitler-Londonの近似 原子の電子波動関数(s, p, dなど）の１次結合 電子間相互作用を考慮しやすい 復習コーナーシリコンのバンドとバンドギャップ 復習コーナー半導体の光吸収スペクトル 復習コーナーバンドギャップと半導体の吸収端 復習コーナー半導体のバンドギャップと透過光の色 復習コーナー半導体のバンドギャップと絵の具の色 復習コーナー第４回の問題 さまざまな半導体のバンドギャップ(室温) 半導体 Eg[eV] ?g[nm] 透過光の色 Ge 0.67 1851 不透明 Si 1.11 1117 不透明 GaAs 1.42 873 不透明 CdSe 1.74 712 赤 GaP 2.26 549 橙 CdS 2.42 512 黄 ZnSe 2.67 463 淡黄 GaN 3.39 366 無色透明 ZnS 3.68 337 無色透明 半導体からの発光 基底状態から何らかの形で励起状態に遷移が起きたとき、基底状態に戻るときに、熱や光の形でエネルギーを放出する。光を放出する現象をルミネセンスという。 光で励起：フォトルミネセンス(PL) 電界で励起：エレクトロルミネセンス(EL) キャリア注入で励起：発光ダイオード(LED) 電子線で励起：カソードルミネセンス(CL) フォトルミネセンス(PL)（光で励起） 光子(h?Eg)入射 価電子帯から伝導帯へ電子が遷移 伝導帯に電子、価電子帯にホール生成 電子、ホールが移動 再結合してエネルギー差を光子として放出 バンド間直接遷移による発光 伝導帯電子と価電子帯ホールの直接再結合 バンド?不純物準位間遷移 伝導帯電子と、アクセプターに束縛されたホールの再結合　Free to Bound Transition (FB) ドナーに束縛された電子と価電子帯ホールの再結合　Bound to Free Transition (BF) ドナーアクセプター対遷移 ドナーに捉えられた電子とアクセプターに捉えられたホールとの再結合 励起子発光 自由励起子（電子とホールがクーロン力で束縛された状態） 束縛励起子(電子とアクセプタホールが束縛された状態) 自由励起子とは 電子?ホールがクーロン力で束縛された状態 ルミネセンスの種類と応用例 光で励起：フォトルミネセンス(PL) プラズマディスプレイ（PDP） 電界で励起：エレクトロルミネセンス(EL) キャリア注入で励起：発光ダイオード(LED) 電子線で励起：カソードルミネセンス(CL) プラズマディスプレイ(PDP) 微小電極間で放電 →気体原子が励起 →紫外線を放出 →紫外線が蛍光体を励起 →可視光発光 予備放電→書き込み放電→維持放電→消去放電 カラーPDPの原理は蛍光灯とよく似ており、極小の蛍光ランプが無数に並んで1枚の画面を作っている、そんなイメージです。 ルミネセンスの種類と応用例 光で励起：フォトルミネセンス(PL)：PDP 電界で励起：エレクトロルミ