2008-2009高分子学科发展国内外发展现状(三)光电功能与能源高分子.docVIP

2008-2009高分子学科发展（1）——国内外发展现状（三）光电功能与能源高分子 在光电磁功能高分子领域，高迁移率高分子材料的设计与制备、分子结构、电子结构和凝聚态结构的协同调控是重要方向，最近在树枝状共轭高分子、可控缩聚或偶联聚合方面都取得了重要进展。 聚合物发光二极管 PLED 器件制备中，在发光层加入半导体量子点 QDs 胶体层，就获得半导体量子点发光二极管 QD-LED ，与PLED相比，它具有发光色纯度高 发光半峰宽窄 、发光颜色可通过控制量子点尺寸大小进行调节等优点。对QD-LED的研究引起了薄膜电致发光器件和半导体纳晶研究工作者的极大关注。李永舫等[28]在QD-LED的研究方面取得重要进展。他们用具有核壳结构的CdSe/ZnS和CdSe/CdS/ZnS纳晶量子点、聚三苯胺为空穴传输层、八羟基喹啉铝为电子传输层，通过调节量子点尺寸以及通过器件结构和各层厚度的优化，制备了可发红、橙、黄、绿4种颜色光的QD-LED器件，其最大亮度分别达到9064 红光 、3200 橙光 、4470 黄光 和3700 绿光 cd/m2，分别为当时文献报道的各色光QD-LED的最高值。同时，这些QD-LEDs还具有启亮电压较低 3～4 V 、效率较高 1.1～2.8 cd/A 、色纯度高 电致发光谱半峰宽30 nm左右 和工作寿命较长等优点。 采用将多种发光组分通过共价键连接，获得了具有发射白光功能的单一高分子，即在具有蓝色发光性能的聚芴主链上，嵌入少量发红光的组分，在侧基上接少量发绿光的组分。以此聚合物制备的单层发光二极管同时发蓝、绿和红光因而结果是发白光。基于三基色发白光聚合物的电致发光效率以共聚方法远比共混效果好很多。由该高分子制成的单层器件的启亮电压4.0V、电流效率7.3 cd/A-1、功率效率4.17 lm/W、最大亮度12710 cd/m2和色坐标 0.31,0.32 ，是当时国际报道的最高效的三色白光单一高分子荧光单层器件[29]。 此外，从一种主链带有种发光重复单元 PFO, BT, DBT 的共轭聚合物制备获得了高效白光器件。曹镛等[30]以PFO-R010-G018共聚物制备的器件经150°C退火10min，给出了最好的器件性能，其外量子效率为3.84% ph/el ，发光效率6.20 cd/A,CIE坐标 0.35,0.34 。而且，在很宽的电压范围此聚合物白色发光色坐标保持很稳定。由于主链上种发光链段的相互有效分离，从蓝色发光聚芴到红色和绿色的能量转移的不完全及从绿色到红色生色团能量转移的受限，导致了种颜色的发光，从而给出匹配的红绿蓝 RGB 宽波长范围、CIE坐标理想的白色发光。 高分子光电器件优化方面，曹镛等[31]研究表明，在带正离子共轭聚电解质的电致发光二极管发光器件中，可通过交换反离子作为调制有机电子传输层性能的直接有效方法。[聚 9,9-双 6-N,N,N-三甲基铵 己基 芴]溴 PF-Br 中的溴离子很容易通过沉淀和清洗而被三氟甲基磺酸酯、四 咪唑 硼酸酯和四 3,5-三氟甲基苯基 硼酸酯所替代。以MEH-PPV作为发光层，Al作为正极，共轭聚电介质作为电子传层的LED的性能依次为 PF-BIm4 PF-CF3SO3 PF-Br PF-BArF4. 在含 PF-BIm4器件中, 发光效率与Ba 为负极的器件相似。这表明选择合适的反离子就可应用相对稳定的高功函数金属，而对电子注入没有障碍。 他们[32]发明了在季铵盐荧光共轭聚合物电解质PFNR2层上以打印导电Ag胶作为复合负极的简单工艺，简化了PLED的制备过程。结果表明，这种方法特别适于从绿、红和蓝发光聚合物制备PLED。以Ag胶为负极、P-PPV和PFO为发光层的器件的发光效率为7.8和电流效率为4.5 cd/A，与热蒸镀Ba/Al负极相应发光器件的发光效率相当。这种具有可打印负极器件的性能对Ag胶的类型和组成特别敏感，因此有望通过改变Ag胶进一步改善器件性能。此技术是至今唯一全打印PLED，为聚合物发光显示和发光器件制备提供了全打印新方法。 n -型有机半导体材料是构筑有机光电子器件如发光二极管、场效应晶体管和太阳能电池中活性层的重要材料。相对于p-型有机半导体材料而言，n-型有机半导体材料比较缺乏，特别是具有高电子迁移率的n-型导电聚合物更为少见。占肖卫等[33]设计合成了既具有高电子迁移率又具有宽波段吸收的n-型导电聚合物，构筑了性能优异的有机场效应晶体管和全聚合物太阳能电池。苝酰亚胺小分子的LUMO能低级和电子迁移率高，常用于制备有机场效应晶体管和有机太阳能电池；然而，它不能吸收近红外波段的太阳光。另一方面，稠环噻吩具有共平面结构，有利于分子有序排列和提高迁移率；把苝酰亚胺和稠环噻吩交替共聚得到了可宏量加工且具有热稳定