浙江省2004年7月高等教育自学考试线性电子电路试题历年试卷.docVIP

做试题,没答案?上自考365,网校名师为你详细解答! 浙江省2004年7月高等教育自学考试 线性电子电路试题 课程代码：02340 一、填空题 每小题1分，共10分 1.半导体是依靠__________和空穴两种载流子导电的。 2.PN结中的反向击穿现象按物理机制可分为__________和齐纳击穿两大类。 3.当晶体三极管工作在发射结加__________、集电结加反偏的模式时，它呈现的主要特性是正向受控作用。 4.若测得晶体管的三个电极电位分别是-5V，-4.7V，-2V，则该管类型是__________。 5.场效应管的饱和区又称放大区，它是沟道__________后所对应的工作区。 6.MOS管分为__________种类型。 7.三种基本组态晶体管放大电路中，共集组态具有输入电阻高、输出电阻_________的特点。 8.在直接耦合多级放大器中存在着需要解决的两个问题：一是级间电平的配合；二是克服_________的有害影响。 9.放大电路中，要稳定输出电压，应引入__________负反馈。 10.反馈放大器是一个由基本放大器和__________构成的闭合环路。 二、单项选择题 在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共30分 1. 杂质半导体中多数载流子浓度 。 A. 与掺杂浓度和温度无关 B. 只与掺杂浓度有关 C. 只与温度有关 D. 与掺杂浓度和温度都有关 2. 半导体二极管是温度的敏感器件，当温度增加时，其参数IS和VD on 都将发生变化，试选择正确答案。 。 A. IS上升，VD on 下降 B. IS上升，VD on 上升 C. IS下降，VD on 下降 D. IS下降，VD on 上升 3. 随着温度的升高，晶体三极管的 将变小。 A. β B. VBE on C. ICBO D. ICEO 4. 晶体管的输出特性曲线分为四个区，请选择哪个区具有基区宽度调制效应 A. 饱和区 B. 放大区 C. 截止区 D. 击穿区 5. N沟道耗尽型MOS管工作在非饱和区的条件是 。 A. VGS VGS th , VDS VGS-VGS th B. VGS VGS th , VDS VGS-VGS th C. VGS VGS th , VDS VGS-VGS th D. VGS VGS th , VDS VGS-VGS th 6. 以下场效应管中哪个的衬底必须接在电路中的最高电位上 A. P沟道JFET管 B. N沟道DMOS管 C. N沟道EMOS管 D. P沟道EMOS管 7. 设计一只单级放大器，要求输入阻抗小，输出阻抗大，请选择 。 A. 共射放大 B. 共基放大 C.共集放大 D. 共源放大 8. 差分放大器中，用恒流源替代射极电阻Re是为了 。 A. 提高Avd B. 提高Avc C. 提高KCMR D. 提高Rod 9. 交流负反馈是指 。 A. 只存在于电容耦合电路中的负反馈 B. 交流通路中的负反馈 C. 放大正弦波信号时才有的负反馈 D. 变压器耦合电路中的负反馈 10. 负反馈放大电路中，若满足深度负反馈条件，则反馈信号和输入信号之间应满足 。 A. f i B. f≈i C. f i D. f 1/i 11. 纯净半导体中加入+3价元素后，将形成 。 A. 电子型半导体 B. 空穴型半导体 C. 杂质半导体 D. 本征半导体 12. PNP型晶体三极管工作在截止区的条件是 。 A. VBE 0,VCB 0 B. VBE 0,VCB 0 C. VBE 0,VCB 0 D. VBE 0,VCB 0 13. 若已知MOS场效应晶体管的IDSS 10mA,VGS th -4V，VGSQ -2V。则IDQ为 。 A. 1.5mA B. 2.0mA C. 2.5mA D. 3.0mA 14. 理想差分放大器由单端输出改为双端输出时，其共模抑制比应为 。 A. 无穷大 B. 为单端输出时的一半 C. 为单端输出的2倍 D. 零 15. 对于电压并联负反馈而言，下列哪个回答是正确的 。 A. 输入电阻变大，输出电阻变大 B. 输入电阻变大，输出电阻变小 C. 输入电阻变小，输出电阻变大 D. 输入电阻变小，输出电阻变小 三、简答题 每小题5分，共15分 1．判断图三 1 电路中各二极管是否导通，并求VAO的值。设二极管正向导通压降为0.7V。 2.图三 2 所示为两级放大电路，若忽略管子的基极电流，β 1,|VBE on | 0.7V,求Ic1,Vc1和Ic2的值。 3.图三 3 所示为某场效应管的转移特性，请说明其属于何沟道、何种类型?并指出它的VGS th 或VGS off 等于何值? 图中iD的假定正向为流进漏极 四