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半导体物理基础知识 参考书目 《半导体物理学》,刘恩科、朱秉升、罗晋生等编著,电子工业出版社。 单电子近似 假设每个电子是在周期性排列且固定不动的原子核势场及其它电子的平均势场中运动。该势场具有与晶格同周期的周期性势场。 晶格 晶体内部原子排列的具体形式称为晶格。 不同的晶体内部原子排列称为具有不同的晶格结构。 为了便于理解,把原子看成是一个小球,则金属晶体就是由这些小球有规律堆积而成的物体。为了形象地表示晶体中原子排列的规律,可以将原子简化成一个点,用假想的线将这些连接起来,构成有明显规律性的空间格架。这种表示原子在晶体中排列规律的空间格架叫做晶格。 周期性结构:如简立方、面心立方、体心立方等。 1.金刚石结构和共价键 硅、锗:共价半导体 硅、锗晶体结构:金刚石结构 金刚石结构 每个原子周围有四个最邻近的原子,这四个原子处于正四面体的顶角上,任一顶角上的原子和中心原子各贡献一个价电子为该两个原子所共有,并形成稳定的共价键结构。 共价键夹角:109?28’ 金刚石结构固体物理学原胞 中心有原子的正四面体结构(相同双原子复式晶格) 硅、锗基本物理参数 晶格常数 硅:0.543089nm 锗:0.565754nm 原子密度 硅:5.00×1022 锗:4.42×1022 共价半径 硅:0.117nm 锗:0.122nm 2.闪锌矿型结构和混合键 Ⅲ(铝、镓、铟)-Ⅴ(磷、砷、锑)族化合物半导体材料 结晶学原胞结构特点 两类原子各自组成的面心立方晶格,沿空间对角线方向彼此位移四分之一空间对角线长度套构而成。 闪锌矿型结构和金刚石结构的区别 共价键具有一定的极性(两类原子的电负性不同),因此晶体不同晶面的性质不同。 不同双原子复式晶格。 常见闪锌矿结构半导体材料 Ⅲ-Ⅴ族化合物 部分Ⅱ-Ⅵ族化合物,如硒化汞,碲化汞等半金属材料。 3.纤锌矿型结构 与闪锌矿型结构相比 相同点 以正四面体结构为基础构成 区别 具有六方对称性,而非立方对称性 共价键的离子性更强 3.纤锌矿型结构 硫化锌、硒化锌、硫化镉、硒化镉等材料均可以闪锌矿型和纤锌矿型两种结构结晶 某些重要的半导体材料以氯化钠型结构结晶 如Ⅳ-Ⅵ族化合物硫化铅、硒化铅、碲化铅等 晶体中的电子状态 1、电子共有化运动 原子中的电子在原子核的势场和其它电子的作用下,分列在不同的能级上,形成所谓电子壳层 ?不同支壳层的电子分别用1s;2s,2p;3s,3p,3d;4s…等符号表示,每一壳层对应于确定的能量。 当原子相互接近形成晶体时,不同原子的内外各电子壳层之间就有了一定程度的交叠,相邻原子最外壳层交叠最多,内壳层交叠较少。 * * ~ 原子组成晶体后,由于电子壳层的交叠,电子不再完全局限在某一个原子上,可以由一个原于转移到相邻的原子上去,因而,电子将可以在整个晶体中运动。这种运动称为电子的共有化运动 特点: 1.外层电子轨道重叠大,共有化运动显著2.电子只能在能量相同的轨道之间转移,引起相对应的共有化 例如:两个原子 相距很远时,如同孤立原子,每个能级都有两个态与之相应,是二度简并的。 互相靠近时,原子中的电子除受本身原子的势场作用,还受到另一个原子势场的作用结果每个能级都分裂为二个彼此相距很近的能级;两个原子靠得越近,分裂得越厉害。 当N个原子彼此靠近时,原来分属于N个原子的相同的价电子能级必然分裂成属于整个晶体的N个能量稍有差别的能带。 2、电子共有化运动使能级分裂为能带 能带特点: (1)分裂的N个能级组成了一个能带称为允带,允带间的能量范围称为禁带 (2)内层电子受到的束缚强,共有化运动弱,能级分裂小,能带窄;外层电子子受束缚弱,共有化运动强,能级分裂明显,能带宽。 3、电子填充能带的情况 a、满带:各能级都被两个自旋相反电子填满的能带 当电子从原来状态转移到另一状态时,另一电子必作相反的转移。没有额外的定向运动。满带中电子不能形成电流。 3、电子填充能带的情况 b、空带:各能级都没有被电子填充的能带 3、电子填充能带的情况 c、导带:能级没有被电子填满的能带,是半导体最外面(能量最高)的一个能带. 电子可在外场作用下跃迁到高一级的能级形成电流。故称为导带。 3、电子填充能带的情况 e、价带:价电子所在的能带,低于导带。 d、带隙Eg:导带的最低点和价带的最高点之间的能量差。 带隙越大,电子由价带被激发到导带越难,本征载流子浓度就越低,电导率也就越低。 导体、半导体和绝缘体 所有固体都包含大量的电子,但电子的导电性却相差非常大 导体的电阻率 半导体的电阻率 绝缘体的电阻率 导体、半导体和绝缘体 它们的导电性能不同, 是因为它们的能带结构不同。 固体按导电性能的高低可以分为 导体 半导体 绝缘体 在外电场的作用下,大
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