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关于能带的几个基本概念 能带（energy band）包括允带和禁带。 允带（allowed band）：允许电子能量存在的能量范围。 禁带（forbidden band）：不允许电子存在的能量范围。 允带又分为空带、满带、导带、价带。 空带（empty band）：不被电子占据的允带。 满带（filled band）：允带中的能量状态（能级）均被电子占据。 导带（conduction band）：电子未占满的允带（有部分电子。） 价带（valence band）:被价电子占据的允带（低温下通常被价电子占满）。 有效质量 费米分布函数与费米能级 例：量子态的能量 E 比 EF 高或低 5kT 费米分布函数与费米能级 EF 的意义: 玻尔兹曼分布 电子的玻氏分布： 玻尔兹曼分布 例如：E－EF 5kT时： 玻尔兹曼分布 本征Si: 玻尔兹曼分布 空穴的玻氏分布： 玻尔兹曼分布 热平衡时非简并半导体的载流子浓度 热平衡时非简并半导体的载流子浓度 热平衡时非简并半导体的载流子浓度 热平衡时非简并半导体的载流子浓度 热平衡时非简并半导体的载流子浓度 热平衡时非简并半导体的载流子浓度 热平衡时非简并半导体的载流子浓度 热平衡时非简并半导体的载流子浓度 本征半导体 本征半导体 本征半导体 本征半导体 本征载流子浓度及影响因素 本征载流子浓度及影响因素 N 型半导体 P 型半导体 在 Si 中掺入 B 应用 应用 非简并杂质半导体的载流子浓度 非简并杂质半导体的载流子浓度 非简并杂质半导体的载流子浓度 非简并杂质半导体的载流子浓度 非简并杂质半导体的载流子浓度 非简并杂质半导体的载流子浓度 非简并杂质半导体的载流子浓度 非简并杂质半导体的载流子浓度 以只含施主杂质的n型半导体为例 非简并杂质半导体的载流子浓度 （1）低温弱电离区 温度很低时，电离施主极少，此时 非简并杂质半导体的载流子浓度 非简并杂质半导体的载流子浓度 EF随温度T的变化： 非简并杂质半导体的载流子浓度 非简并杂质半导体的载流子浓度 非简并杂质半导体的载流子浓度 非简并杂质半导体的载流子浓度 非简并杂质半导体的载流子浓度 非简并杂质半导体的载流子浓度 中等电离区 非简并杂质半导体的载流子浓度 强电离区（饱和电离区） 温度继续升高，杂质接近全部电离，电中性条件变为： n0 ND，将 代入得： 非简并杂质半导体的载流子浓度 弱电离 非简并杂质半导体的载流子浓度 2. 过渡区 当温度较高本征激发不能被忽略，此时空穴浓度不能被忽略，电中性条件为n0 ND+p0，再利用n0p0 ni2,得 非简并杂质半导体的载流子浓度 3.本征激发区（高温） 当温度进一步升高,使本征激发所产生的载流子浓 度远大于杂质电离产生的载流子浓度（即ni ND），电中性条件为:n0 p0。 非简并杂质半导体的载流子浓度 非简并杂质半导体的载流子浓度 简并半导体 简并半导体的载流子浓度 简并半导体 简并半导体 简并半导体 简并半导体 简并半导体 简并半导体 简并半导体 简并半导体 重掺杂： 当半导体中的杂质浓度超过一定数量时，载流子开始简并化的现象。 杂质浓度越高，简并化就越容易发生。 杂质能带： 在简并半导体中，杂质浓度高，导致杂质原子之间电子波函数发生交叠，使孤立的杂质能级扩展为杂质能带。 简并半导体 小结 小结 小结 小结 小结 小结 小结 公式推导 ND 0 ni T n n 型硅中电子浓度与温度关系 n 200 400 600 杂质弱电离区 杂质强电离区 （饱和区 过渡区 本征区 计算掺杂半导体的载流子浓度时，需首先考虑属于何种温区。 一般：T：300K左右，且掺杂浓度＞＞ni 属于饱和电离区 注意： N型： no ND P型： po NA 其中： 1. EF 位于导带中 费米积分 ξ -4 -3 -2 -1 -1/2 0 1/2 F1/2 ξ 0.016 0.043 0.115 0.29 0.45 0.689 0.99 1 2 3 4 1.396 2.502 3.977 5.771 2. EF 位于价带中 简并化条件 非简并： 简并： 0·1 -4 -2 0 2 4 6 8 0.2 0·5 2 5 10 20 费米 经典 no 1 EC－ EF ? 2kT，非简并 0 ＜ EC －EF ≤ 2kT，弱简并 EF－EC≥ 0 或 EC －EF ≤ 0，简并 n 型半导体的简并条件：EF－EC≥0 P型半导体的简并条件：EV－EF≥0 no nD+ ∵ 简并时，EF EC，∴ED＜EF， n 型半导体简并时的施主浓度 ND ~ NC 至少处于同一数量级； P 型简并半导体，NA ~NV N