第1章半导体二极管三极管和场效应管.ppt

* * * * 发光二极管 有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。 N型硅 二氧化硅保护膜 B E C N+ P型硅 1.5.1 半导体三极管的结构 （a） 平面型 N型锗 E C B 铟球 铟球 P P+ （b）合金型 1. 5 半导体三极管 第1章 1.5 1. NPN 型三极管 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 N N 集电极C 基极B 发射极E 三极管的结构 分类和符号 P E C B 符号 第1章 1.5 T 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 　 　 C B E N 集电极C 发射极E 基极B N P P N 2. PNP型三极管 第1章 1.5 T EC RC IC UCE C E B UBE 共发射极接法放大电路 1.5.2 三极管的电流控制作用 三极管具有电流控 制作用的外部条件 : （1）发射结正向偏置； （2）集电结反向偏置。 对于NPN型三极管应满足: UBE 0 UBC 0 即 VC VB VE 对于PNP型三极管应满足: UEB 0 UCB 0 即 VC VB VE 输出 回路 输入 回路 公 共 端 第1章 1.5 EB RB IB 发射区向基区 扩散电子 IE IB 电子在基区 扩散与复合 集电区收集电子 电子流向电源正极形成 IC IC N P N 电源负极向发射 区补充电子形成 发射极电流IE 三极管的电流控制原理 EB正极拉走电 子，补充被复 合的空穴，形 成 IB 第1章 1.5 VCC RC VBB RB 由于基区很薄,掺杂浓度又很小,电子在基区扩散的数量 远远大于复合的数量。所以： IC IB 同样有: ? IC ? IB 所以说三极管具有电流控制作用,也称之为电流放大作用。 IB UBE 0 UCE ≥ 1V 死区电压 1. 三极管的输入特性 IB = f (UBE ) UC E = 常数 1.5.3 三极管的特性曲线 第1章 1.5 IB =40μA IB =60μA UCE 0 IC IB增加 IB 减小 IB = 20μA IB = 常数 IC = f (UCE ) 2. 三极管的输出特性 第1章 1.5 IC / mA UCE /V 0 放 大 区 三极管输出特性上的三个工作区 IB= 0 μA 20μA 40 μA 60 μA 80 μA 第1章 1.5 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。 此区域中 : IB=0 , IC=ICEO , UBE 死区电压，称为截止区。 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB , 且 ? IC = ? ? IB 。此区域称为线性放大区。 输出特性三个区域的特点: (1) 放大区 BE结正偏，BC结反偏， IC=?IB , 且 ? IC = ? ? IB (2) 饱和区 BE结正偏，BC结正偏 ，即UCE?UBE ， ?IBIC，UCE?0.3V (3) 截止区 UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ USB =-2V， IB=0 ， IC=0， Q位于截止区 USB =2V， IB= (USB -UBE)/ RB =(2-0.7)/70=0.019 mA IC= ?IB =50?0.019=0.95 mA ICS =2 mA ， Q位于放大区 IC最大饱和电流ICS = (USC -UCE)/ RC =(12-0)/6=2mA IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE IC UCE IB USC RB USB C B E RC 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ USB =5V， IB= (USB -UBE)/ RB =(5-0.7)/70=0.061 mA IC= ?IB =50?0.061=3.05 mA ICS =2 mA ， Q位于饱和区(实际上，此时IC和IB 已不是?的关系） 1.5.4 三极管的主要参数 1. 电流放大系数