模拟电路场效应管及其基本放大电路探究.ppt

讨论一：利用图示场效应管组成原理性共源放大电路。 §5.2 场效应管基本放大电路 一、场效应管静态工作点的设置方法 二、场效应管放大电路的动态分析 三、场效应管放大电路的频率响应 (1) 静态：适当的静态工作点，使场效应管工作在恒流区，场效应管的偏置电路相对简单。 (2) 动态：能为交流信号提供通路。 组成原则： 静态分析：估算法、图解法 动态分析：微变等效电路法、图解法 分析方法： 场效应管基本放大电路 共源电路 共栅电路 共漏电路 结型场效应管放大电路的三种接法 一、场效应管静态工作点的设置方法 根据场效应管工作在恒流区的条件，在g-s、d-s间加极性合适的直流电源，就可确定合适的静态工作点。 1. 基本共源放大电路 为了使场效应管工作在恒流区实现放大作用，应满足： N增强型MOS管 共源 思考： 1.N沟道共源结型场效应管的静态工作点怎样设置？ 2.N沟道共源耗尽型MOS的静态工作点怎样设置？ 2. 自给偏压电路 由正电源获得负偏压 称为自给偏压 哪种场效应管放大电路能够采用这种电路形式设置Q点？ 耗尽型场效应管 结型场效应管共源放大电路静态分析： 3. 分压式偏置电路 即典型的Q点稳定电路 二、场效应管放大电路的动态分析 1. 场效应管的交流等效模型 iD 的全微分为 上式中定义： —— 场效应管的跨导(毫西门子 mS) —— 场效应管漏源之间等效电阻 如果输入正弦信号，则可用相量代替式中的变量。 场效应管的交流等效模型 + + — — G D S 电压控制电流源 如果外电路电阻较小，可忽略rds中电流 由于没有栅极电流，所以栅源是悬空的。 是一个受控源。 近似分析时可认为其为无穷大！ 根据iD的表达式或转移特性可求得gm。 与晶体管的h参数等效模型类比： 一般 gm 约为 0.1 至 20 mS。 rds 为几百千欧的数量级。当 Rd 比 rds 小得多时，可认为等效电路的 rds 开路。 根据场效应管的电流方程可以求出低频跨导。如结型 小信号时，可以用IDQ来近似iD，所以有 增强型MOS管： 结型场效应管： 2. 基本共源放大电路的动态分析 若Rd=3kΩ， Rg=1MΩ， gm=2mS，则 与共射电路比较。 放大能力不如共射电路 例5.2.2 分压式偏置共源放大电路 ①电压放大倍数 ②输入电阻 ③输出电阻 3. 基本共漏放大电路的动态分析 若Rs=3kΩ，gm=2mS，则 输入电压输出电压极性相同 基本共漏放大电路输出电阻的分析 若Rs=3kΩ，gm=2mS，则Ro=? 求解场效应管放大电路的步骤(归纳) 　　1. 首先利用图解法或近似估算法确定放大电路的静态工作点 Q ， 　　2. 求出静态工作点处的微变等效电路参数。 　　 3. 画出放大电路的微变等效电路。 4. 列出电路方程并求解动态性能指标。 三种基本放大电路的性能比较 组态对应关系： CE BJT FET CS CC CD CB CG BJT FET 电压增益： CE： CC： CB： CS： CD： CG： 输出电阻： BJT FET 输入电阻： CE： CC： CB： CS： CD： CG： CE： CC： CB： CS： CD： CG： 三、场效应管单管放大电路的频率响应 * * 说明uGS控制iD的明显的非线性关系。 * 说明uGS控制iD的明显的非线性关系。 * * * 信息技术学院 模拟电子技术基础Fundamentals of Analog Electronic 第五章 场效应管及其放大电路 第五章 场效应管及其放大电路 §5.1 场效应管 §5.2 场效应管基本放大电路 §5.1 场效应管 一、结型场效应管 二、绝缘栅型场效应管 三、场效应管的分类 BJT是一种电流控制元件(iB~ iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与导电，所以被称为双极型器件。 FET只有一种载流子参与导电，利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的三极管，称为场效应管，也称单极型三极管。 特点 单极型器件(一种载流子导电)； 输入电阻高； 工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低。 FET分类： 绝缘栅场效应管 结型场效应管 增强型 耗尽型 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），对应于晶体管的e、b、c； 场效应管有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。 单极型管∶噪声小、抗辐射能力强、低电压工作 在漏极和源极之间加上一个正向电压，N 型半导体中多数载流子电子可以导电。