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1.熟练掌握用微变等效电路法分析放大电路的Au、 Ri和Ro的方法,掌握rbe的近似估算公式。正确理解如何用图解法分析放大电路的静态和动态工作情况。 2.掌握放大电路的三种基本组态(共射、共集、共基)的工作原理和特点。 3.正确理解温度对三极管参数的影响,掌握分压式工作点稳定电路的工作原理和特点。 4.掌握直接耦合多级放大电路的工作原理、电压放大倍数的计算方法。正确理解零点漂移现象。了解阻容耦合多级放大电路的特点。 2.8.2 多级放大电路的电压放大倍数和 输入、输出电阻 R11 +VCC RC1 C11 C12 R12 CE1 RE1 RL ui uo R11=100k? R12=33k? RE1=2.5k? RC1=5k? RL=5k? ?=60 VCC=15V IC=1.2mA IB=20?A UCE =6V Ri = R11// R12// rbe =1.52 k? Ro= RC1 =5k? rbe=1.62 k? AuL=-93 多级阻容耦合放大器的级联 R11 RC1 C11 C12 R12 CE1 RE1 ui R21 +VCC RC2 C21 C22 R22 CE2 RE2 RL uo 设二级放大器的参数完全一样 § 2.7 场效应管放大电路* (1) 静态:适当的静态工作点,使场效应管工作在恒流区,场效应管的偏置电路相对简单。 (2) 动态:能为交流信号提供通路。 组成原则: 静态分析:估算法、图解法。 动态分析:微变等效电路法。 分析方法: iD (mA) u DS /V 0 uGS=5V 4V 3V 2V 场效应管的输出特性曲线 iC (mA) 1 2 3 4 uCE(V) 3 6 9 12 iB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 晶体管的输出特性曲线 2.7.1 场效应管的特点 场效应管的特点: 1. 场效应管是电压控制器件; 2. 输入电阻非常高; 3. 存在零温度系数工作点; uGS 0 iD 效应管的零温度系数工作点 T1 T2 T3 T1 T2 T3 零温度系数 工作点 4. 制造工艺简单,便于大规 模集成; 5. 二氧化硅绝缘层易被击穿 而损坏管子; 6. 在相同的负载电阻下,场效应管的电压 放大倍数一般比晶体管的放大倍数小。 很大, 可忽略。 G S D uGS iD uDS S G D ugs gmugs uds S G D rDS ugs gmugs uds 压控电流源 2.7.2 场效应管的微变等效电路 2.7.3 分压-自偏压式共源极放大电路 +VDD RS CS C2 C1 R1 RD RG R2 RL G D S + + - - 栅极电压由VDD经R1 、R2分压得到 漏极电流在RS 上产生自偏压 UGS 由分压和自偏压共同决定 分压-自偏压式共源放大电路 RS 直流负反馈,稳定静态工作点 一、静态分析 由输入回路可得: +VDD RS CS C2 C1 R1 RD RG R2 RL G D S + + - - N 沟道增强型MOS管的漏极电流与栅源电压满足以下关系: 1.估算法 +VDD RS CS C2 C1 R1 RD RG R2 RL G D S + + - - 解上述方程即可得到UGSQ 和 IDQ 由输出回路方程 +VDD RS CS C2 C1 R1 RD RG R2 RL G D S + + - - 0 iD uGS UGS(th) UGQ 2.图解法 Q IDQ UGSQ 输出回路方程: 输出回路方程: ID uDS 0 uGS UGSQ VDD Q IDQ UDSQ 直流负载线 二、动态分析 s g R2 R1 RG RL d RL RD 微变等效电路 +VDD RS CS C2 C1 R1 RD RG R2 RL g d s + + - - s g R2 R1 RG RL d RL RD Ro = RD 2.7.4 共漏极放大电路(源极输出器、源极跟随器) uo VDD=20V RS ui C1 R1 RG R2 RL 150k 50k 1M 10k D S C2 G 一、静态分析 与分压-自偏压式共源极放大电路的静态分析方法类似。 uo +UDD RS ui C1 R1 RG R2 RL 150k 50k 1M 10k D S C2 G Ri Ro Ro? g R2 R1 RG s d RL RS 微变等效电路 二、动态分析 Ri Ro Ro? g R2 R1 RG s d RL RS 微变等效电路 输入电阻 Ri 输出电阻 Ro 加压求流法 g d 微变等效电路 Ro Ro? R2 R1 RG s RS 场效应管放大电路小结 (1) 场效应管放大器输入电阻很大。 (2)
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