模拟电子电路习题课探究.pptVIP

* 当信号为零时，工作点接近于截止点，ICQ=0，电源不提供功率；而随着信号的增大，iC增大，电源提供的功率也将随之增大。这点与A类功放有本质的差别。 PE=UCC·(iC1的直流分量)+|UEE|·(iC2的直流分量) 电源提供的功率 * 4)每个管子损耗PC 可见，每个管子的损耗PC是输出信号振幅的函数。将PC对Uom求导，可得出最大管耗PCm。令 * 得出，当 时，每管的损耗最大： * * * 当信号为零时，工作点接近于截止点，ICQ=0，电源不提供功率；而随着信号的增大，iC增大，电源提供的功率也将随之增大。这点与A类功放有本质的差别。 PE=UCC·(iC1的直流分量)+|UEE|·(iC2的直流分量) 电源提供的功率 * fHf=(1+FA)fH=(1+0.01x10000) x0.1=10MHz * * vi + VCC RL + vo T RB1 RB2 CE C n：1 题图9.3 RE * m m vi + VCC RL + vo T RB1 RB2 CE C n：1 题图9.3 RE * * 互补跟随乙类功放负载线及工作点 双管负载线 * 功放电路如图题8-8所示，试问 指出电路中的反馈通路，并判断反馈组态； 估算电路在深度负反馈时的闭环电压增益； 设晶体管的饱和压降为0.5V，电路的最大输出功率为多少？晶体管的参数ICM、 PCM、U(BR)CEO如何选取？ (4)如要求输出电压Uom=8V，输入信号Uim=？ 解 (1)100kΩ、1 kΩ电阻构成了互补乙类功放电路和运放构成的同相比例放大器之间反馈通路,引入电压串联负反馈。 (2) 根据 ，所以得 (3) 晶体管的参数应满足如下条件： (4)因为 所以 + + + + * * 1. 电路如图P1.1所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 图P1.1 解图P1.1 * 1.2测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.6所示。在圆圈中画出管子， 并分别说明它们是硅管还是锗管。 ? 图P1.6 ? 解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表P1.6所示。 ? 解表P1.6 管号 T1 T2 T3 T4 T5 T6 上 e c e b c b 中 b b b e e e 下 c e c c b c 管型 PNP NPN NPN PNP PNP NPN 材料 Si Si Si Ge Ge Ge ? * 分别判断图P1.8所示的各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。 图P1.8 ? 解：（a）可能 （b）可能 （c）不能 （d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。 （e）可能 ? * 2.3电路如图P2.3所示，晶体管的?＝80， =100Ω。分别计算RL＝∞和RL＝3kΩ时的Q点、 Ri 和Ro。 解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、rbe均相等，分别为 空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为 RL＝5kΩ时，静态管压降、电压放大倍数分别为 47 115 V 3 . 2 ) ( be s be be L L c CQ L c L CEQ - ? × + ? - ? - = ? - + = u us u A r R r A r R A R R I R R R U b ∥ Vcc * 已知图P2.8（a）所示电路中场效应管的转移特性如图（b）所示。求解电路 的Q点和 图P2.8 解：（1）求Q点： 根据电路图可知， UGSQ＝VGG＝3V。 从转移特性查得，当UGSQ＝3V时的漏极电流 IDQ＝1mA 因此管压降 UDSQ＝VDD－IDQRD＝5V。 （2）求电压放大倍数： * 已知某电路电压放大倍数 试求解： ＝？fL＝？fH ＝? 解：变换电压放大倍数的表达式， * 已知两级共射放大电路的电压放大倍数 ＝？fL＝？fH ＝? 解：变换电压放大倍