第一章-常用半导体器件讲解.ppt

三、PN结VCR方程 一、晶体管内部载流子的运动 一、输入特性曲线 二、输出特性曲线 （b）当栅极加有电压时，若 0＜uGS＜UGS(th) （ UGS(th)称为开 启电压)时: 在Sio2介质中产生一个垂直于半导 体表面的电场，排斥P区多子空穴 而吸引少子电子。 但由于电场强度有限，吸引到绝 缘层的少子电子数量有限，不足 以形成沟道，将漏极和源极沟 通，所以不可能以形成漏极电流ID。 0＜uGS＜UGS(th) ， ID=0 (c)进一步增加uGS，当uGS＞UGS(th) : 由于此时的栅极电压已经比较强，栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子，将漏极和源极沟通，形成沟道。 如果此时uDS0，就可以形成漏极电流iD。在栅极下方导电沟道中的电子，因与P型区的载流子空穴极性相反，故称为反型层。 随着uGS的继续增加，反型层变厚，iD增加。 uGS 0 ? g吸引电子 ? 反型层 ? 导电沟道 uGS? ? 反型层变厚 ? uDS ? ? iD ? （2）漏源电压uDS对漏极电流iD的控制作用 （a）若uGS＞UGS(th)且固定为某一值: uDS=uDG＋uGS=－uGD＋uGS uGD=uGS－uDS uDS为0或较小时， uGD=uGS－uDS ＞UGS(th)， 此时uDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。这时iD随uDS增大。 u