反激式开关电源的RCD吸收电路的设计讲义.docVIP

反激式开关电源的RCD吸收电路的设计 如上图所示，分析如下 一：设计电路的原则 限制MOS功率管的最大反向峰值电压 减小RCD电路的损耗。 上述两者，是相互矛盾的，取折中的办法。 二：设计RCD吸收电路的过程 在设计之前，电路的频率、主变压器、输出电路的参数、MOS功率管全部确定。 计算在最大输入交流电压时，输出的最大直流电压VDC VDC 1.4*VAC 单位：Ｖ 次级电压反射到初级的等效电压ＶＯＲ Ｖ ＯＲ ＶＦ+ＶＯ *ＮＰ/ＮＳ ＶＦ:二极管的正向最大电压降，单位：Ｖ ＶＯ:输出的电压值，考虑精度波动范围,单位：Ｖ ＮＰ:初级匝数 ＮＳ:次级匝数 ＭＯＳ功率管的源—栅极之间的最大耐压值ＶＤ的余量值Ｖ ＤＳ ＶＤＳ １０%*ＶＤ 单位：Ｖ ＲＣＤ吸收回路的电压Ｖ ＲＣＤ Ｖ ＲＣＤ ＝[ＶＤ-Ｖ ＤＣ -Ｖ ＤＳ ]*９０% 单位：Ｖ 三：ＲＣＤ试验调整 上述ＲＣＤ电压值是理论值，通过试验调整，使得实际值和理论值相吻合 Ｖ ＲＣＤ ＞１．３Ｖ ＯＲ 若实际测量值小于１．３倍的话，说明选取的ＭＯＳ功率管的ＶＤ值太小． ＭＯＳ功率管的ＶＤ＜２Ｖ ＤＣ 若实际测量值大于２倍的话，说明选取的ＭＯＳ功率管的ＶＤ值太大． Ｖ ＲＣＤ ＜１．２Ｖ ＯＲ 说明ＲＣＤ吸收回路会影响开关电源的效率． Ｖ ＲＣＤ 是有Ｖ ＲＣＤ１ 和Ｖ ＯＲ 组成的． ＲＣ时间常数τ是有开关电源