1632位微机接口第二版答案钱小捷.docVIP

4.1 20；；65536；；扩展板 4.4 总线操作周期中，8088在第三个时钟周期的前沿测试READY引脚，若无效，表明被访问的设备与CPU操作不同步，CPU插入等待周期。 4.5 最小组态模式用于小规模系统，MN/MX*接高电平，分时复用引脚是：，，当MN/MX*接低电平，8088构成最大组态模式，应用大规模应用程序。 4.6 引脚三态能力主要针对引脚输出信号状态：高电平、低电平和高阻。输出高阻意味着芯片放弃对引脚的控制。这样它所连接的设备就可以接管该引脚及连接导线的控制权。 4.7 RESET：复位请求，高电平有效时，CPU回到初始状态。 HOLD：总线请求，高电平有效时，其他总线主控设备向CPU申请占用总线。 NMI：不可屏蔽中断请求。外界向CPU申请不可屏蔽中断。 INTR：可屏蔽中断请求。高电平有效时，中断请求设备向CPU申请可屏蔽中断。 4.10 （1）T1周期，CPU进行读操作。 2 T2-T4期间，CPU对数据总线输出高阻态，选通存储器或I/O接口，向CPU传送数据。 （3）T4的下降沿，CPU对数据总线采样。 4.15 三态透明锁存器指芯片具有三态输出能力。当G有效，允许数据输出，否则不允许。当地址输出端DE*无效，说明不允许CPU向总线输出地址。 4.16 数据收发器指向两个方向驱动数据。74LS245的G*标示输出控制端，DIR标示方向控制端。 4.17 （1）8086是真正的16位微处理器。8088的数据总线只有8位； （2）8086指令队列长度为4字节，8088为6字节； （3）最小组态下，8088选择访问对象的信号为IO/M*，8086为M/IO* （4）8086数据存储按照16位数据宽度组织，由奇偶两个对称的存储器组织，提高访问效率。 第五章 5.1 解： 主存的作用：保存正在使用的、处于活动状态的程序和数据。 辅存的作用：长期保存程序文件和数据文件，在需要时将这些文件调入RAM内存并激活使用。 cache的作用:提高对存储器的访问速度。 虚拟存储：由容量较小的主存和容量较大的辅存构成，其目标是扩大程序员眼中的主存容量。 区别：通过存储器访问指令用户可对主存进行随机访问；用户利用操作系统提供的用户命令和功能调用对辅存进行访问。 5.2 在半导体存储器中，RAM指的是 随机存取存储器 ，他可读可写，但断电后信息一般会 丢失 ；而ROM指的是 只读存储器 ，正常工作时只能从中 读取 信息，但断电后信息 不会丢失 。以EPROM芯片2764为例，其存储容量为8K×8位，共有 8 条数据线和 13 条地址线。用它组成64KB的ROM存储区共需 8 片2764芯片。 5.3 解： 双译码方式使得地址译码器的输出线的数目大为减少,芯片设计得时候复杂度就低了 地址线A9～A0 4根数据线I/O4～I/O1 片选CS* 读写WE* 5.4 解： 假想的RAM有12根地址线、4根数据线 片选端CS*或CE*：有效时，可以对该芯片进行读写操作,通过对系统高位地址线的译码来选中各个存储芯片 输出OE*：控制读操作。有效时，芯片内数据输出，该控制端对应系统的读控制线MEMR* MRDC* 写WE*：控制写操作。有效时，数据进入芯片中，该控制端对应系统的写控制线MEMW* MWTC* 5.5 解： 位片结构：每个存储单元具有一个唯一的地址，可存储1位。（4116） 字片结构：每个存储单元具有一个唯一的地址，可存储多位。（2114） 5.6 解： 组成单元 速度 集成度 应用 SRAM 触发器 快 低 小容量系统 DRAM 极间电容 慢 高 大容量系统 NVRAM 带微型电池 慢 低 小容量非易失 掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改 PROM：允许一次编程，此后不可更改 EPROM：用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程 EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在 线进行擦除和编程，也可多次擦写 Flash Memory（闪存）：能够快速擦写的EEPROM，但只能按块（Block）擦除 5.7解： 位扩充——存储器芯片数据位数小于主机数据线数时，利用多个存储器芯片在数据“位”方向的扩充； 地址扩充（字扩充）——当一个存储器芯片不能满足系统存储容量时，利用多个存储器芯片在“地址”方向的扩充 组成32KB存储空间，用SRAM 2114（1K×4）需要64个芯片； 组成32KB存储空间，用DRAM 4116（16K×1）需要16个芯片； 它们都需要进行位扩充和地址扩充 5.8解： 片选信号说明该存储器芯片是否被选中正常工作，设置它可以比较方便地实现多个存储器芯片组成大容量的存储空间 存储器片选信号通常与CPU地址总线的高位地址线相关