杨晓玲-基底温度对磁控溅射制备钽膜的影响究..lnk4课稿.doc

本科毕业论文（设计） 基底温度对磁控溅射制备钽薄膜的影响 学 院： 大数据与信息工程学院 专 业： 电子科学与技术 班 级： 电技10-1 学 号： 100座机电话号码 学生姓名： 杨晓玲 指导教师： 周章渝 2014年6月8日 贵州大学本科毕业论文（设计） 诚信责任书 本人郑重声明：本人所呈交的毕业论文（设计），是在导师的指导下独立进行研究所完成。毕业论文（设计）中凡引用他人已经发表或未发表的成果、数据、观点等，均已明确注明出处。 特此声明。 论文（设计）作者签名： 日 期： 目录 摘要 1 Abstract 2 第一章 引言 4 参考文献 4 第二章 金属薄膜制备技术 6 2.1 金属薄膜制备技术的分类 6 2.1.1 电镀和化学镀 6 2.1.2 真空蒸发镀膜法 7 2.1.3 溶胶-凝胶法 8 2.1.4 离子镀膜法 9 2.1.5 化学气相沉积 10 2.1.6 磁控溅射技术 11 参考文献 14 第三章 钽的性质与特点 15 3.1 钽及钽特性 15 3.2钽薄膜研究进展 16 参考文献 17 第四章 采用磁控溅射技术制备钽薄膜 19 前言 19 4.1实验过程 19 4.2实验结果与讨论 21 4.2.1不同基底温度对钽膜的AFM表征 21 4.2.2 不同的基底温度对钽膜的XRD表征 23 第五章 总结与展望 24 5.1 总结 24 5.1 展望 24 致 谢 26 基底温度对磁控溅射制备钽薄膜的影响 摘要 钽 Ta 具有稳定化学性质极高的抗腐蚀性富有延展性采用磁控溅射技术备，系统研究薄膜厚度、薄膜微结构和的影响规律，获得高纯度表面粗糙度小薄膜材料，为提供支撑。 1、在常温至500℃的基底温度工艺条件下采用射频溅射技术制备金属Ta薄膜，可获得纯度高、厚度均匀致密的Ta薄膜。 2、利用原子力显微镜 AFM 测量薄膜的粗糙程度，结果显示基底温度对钽膜的制备有显著的影响，随着基底温度的升高，薄膜表面的粗糙程度减小，致密性变好，颗粒尺寸变大。 3、采用X射线衍射 XRD 分析薄膜的微观结构，发现在，，均出现了α相Ta 110 、β相Ta 411 及α相Ta 211 晶面衍射峰，α相Ta 211 晶面为Ta薄膜的择优取向面。随着基底温度的升高，α相Ta薄膜的择优取向明显增强，而β相Ta薄膜的择优取向没有明显变化。 4、通过上述的测量结果进行对基底温度对薄膜制备影响的研究，优化出制备Ta薄膜的最佳工艺参数500℃。 关键词：基底温度，钽膜，射频磁控溅射 The effect of substrate temperature on the Ta film making by magnetron sputtering Abstract Ta has stable chemical property, positive temperature coefficient and good corrosion resistance. And Ta also is a kind of metal of good ductility. So Ta is of great value in the field of electronics, X-ray, optics and semiconductor film. Now the methods of making tantalum film include evaporation, reactive sputtering, cylindrical magnetron cathode, magnetron sputtering. The material that can be plated by magnetron sputtering include metal, alloy, compound, ceramics, polymer. So the film has high purity and symmetrical thickness, the repeatability is good, and the film can be combined with the substrate well. This article employs radio frequency magnetron sputtering technology to make Ta film in the substrate of Al2O3, systematically researches the effect of substrate temperature on its thickness, microstructural and su