电子技术基础()期末复习提要.docVIP

《电子技术基础》（一）期末复习提要 第一章 半导体二极管、三极管和MOS管 一、重点掌握内容 1．半导体二极管的单向导电特性，伏安特性曲线，开关应用时开关条件及开头状态的特点。 2．半导体三极管（NPN）的输入特性和输出特性，截止、放大、饱和三种工作状态下的特点。 3．NMOS管开关应用时开关条件及开关工作状态下的特点，MOS管的使用特点。 二、一般掌握的内容 1．PN结形成的原因，扩散和漂移的概念，PN结外加两种不同极性电压时的导电性能。 2．二极管的主要参数，几种常用的特殊二极管及它们的工作原理和特点。 3．三极管的工作原理和主要参数，α、β、ICBO、ICＥO的物理意义，它们之间的关系及对三极管性能的影响，三极管极限工作区的物理意义和划分。 4．增强型MOS管的工作原理、输出特性和转移特性，MOS管的工作特点及主要参数。 三、一般了解的内容 1．三极管的内部载流子运动过程，三极管的开关时间、类型和型号。 2．耗尽型MOS管的工作原理，特性曲线和主要参数，MOS管的开关时间。 第二章 数字逻辑基础 一、重点掌握的内容 1．二进制数的计数规律，二进制数、八进制数、十六进制数与十进制数之间的转换方法（整数） 2.逻辑代数的三种基