半导体二极管详解.ppt

模拟电子技术基础 从二极管的伏安特性可以反映出：  1. 单向导电性 2. 伏安特性受温度影响 T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓ →反向饱和电流IS↑，U(BR) ↓ T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移 正向特性为指数曲线 反向特性为横轴的平行线 增大1倍/10℃ 模拟电子技术基础 二极管主要参数 最大整流电流IF：最大平均值 最大反向工作电压UR：最大瞬时值 反向电流 IR：即IS 最高工作频率fM：因PN结有电容效应 模拟电子技术基础 二极管基本电路及其分析方法 二极管是一种非线性器件，采用线性元件构成的电路来近似模拟二极管的特性 ——模型法 二极管等效模型 1、理想模型 正向偏置时，管压降为0V， 而当反向偏置时，电阻为 无穷大，电流为零。 电源电压远大于二极管的管压降 模拟电子技术基础 2、恒压降模型 当二极管导通后，其管压降为恒定，且不随电流而变。 对于硅管来说当vD0.7V时就截止，当vD 0.7V时就导通。 对于锗管来说当vD 0.2V时就截止，当vD 0.2V时就导通。 vD iD + - iD vD 近似分析中最常用 模拟电子技术基础 3、折线模型 修正恒压降模型，即二极管的管压降不是恒定的，随着通过二极管电流的增加而增加。 模型中用一个电池和一个电阻rD进一步近似。 电池电压为二极管的开启电压von，约为0.5V。 vD iD + - iD vD Von 二极管的导通电流为1mA时，管压降为0.7V 模拟电子技术基础 4、小信号模型 Q越高，rd越小。 当二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极管等效为一个电阻，称为动态电阻，也就是微变等效电路。 ui=0时直流电源作用 小信号作用 静态电流 模拟电子技术基础 二极管应用电路 1、二极管电路的静态工作情况分析 例1 设简单二极管基本电路如a所示，R=10kΩ，图b是它的习惯画法。对于下列两种情况，求电路的ID和VD的值：（1）VDD=10V；（2）VDD=1V。在每种情况下，应用理想模型、恒压降模型和折线模型求解。设折线模型中rD = 0.2k 模拟电子技术基础 （1）VDD=10V时 解：为了简单起见，图a所示的电路常采用图b所示的习惯画法，今后经常用到。 ①理想模型 正向偏置时： 管压降为0，电阻也为0。 反向偏置时： 电流为0，电阻为∞。 ②恒压降模型 ③ 折线模型 当iD≥1mA时， vD=0.7V。 模拟电子技术基础 (2) VDD=1V ① 使用理想模型得：VD=0V， ID= VDD/R=0.1mA ② 使用恒压降模型得：VD=0.7V， ID= （VDD－0.7）/R=0.03mA ③ 使用折线模型得： ID=0.049mA，VD=0.51V 当电源电压远大于二极管管压降时，恒压降模型能得出较合理的结果； 当电源电压较低时，折线模型较合理。 模拟电子技术基础 RL ui uo ui uo t t 2、整流电路 模拟电子技术基础 例2 二极管基本电路如a所示，已知υs为正弦波，如图b所示。试利用二极管理想模型，定性地绘制出υ0的波形 不管输入信号处于正或负半周，负载上得到的都是正向电压。 vi vo 模拟电子技术基础 正半周： D1、D3 导通 D2、D4 截止 负半周 D2、D4导通 D1、D3截止 模拟电子技术基础 3、限幅电路： 利用二极管单向导电性和导通后恒压的特点，将信号限定在某一范围之内变化 。例一：理想二极管电路中 vi= Vm sinωt V，求输出波形v0。 VR Vm vi t 0 Vi VR时，二极管导通，vo=vi。 Vi VR时，二极管截止， vo=VR。 解： 模拟电子技术基础 |vi |0.7V时，D1、D2截止，所以vo=vi | vi |0.7V时， D1、D2中有一个导通，所以vo =0.7V vo vi 例二 模拟电子技术基础 例三 vo vi vi0.7V+0.7V=1.4V时，D1、D2截止，所以vo=vi vi 1.4V时， D1、D2导通，所以vo =0.7+0.7V=1.4V 模拟电子技术基础 4、低电压稳压电路 利用二极管的正向压降特性，可以获得较好的稳压性能。 例： 图示电路中，直流电源VI的正常值为10V，R=10kΩ，若VI变化±1V时，相应的输出电压的变动？ 解 ： （1） VI = 10V， 恒压降模型： VD≈0.7V 二极管Q点上的电流： 模拟电子技术基础 （2）计算Q点上二极管的微变电阻 （3） VI变化±1V，视为一峰-峰值为2V的交流信号，则输出电压变化量