摸拟电子技术练习题2答案.docVIP

摸拟电子技术 练习题2答案 一、单选题(每题1分) 1.C 2.C 3.B 4.A 5.B 6.C 7.C 8.A 9.C 10.D 11.B 12.D 二、判断题(每题1分) 1.错误 2.正确 3.错误 4.正确 5.错误 6.错误 7.错误 8.错误 9.错误 10.错误 11.错误 12.正确 三、填空题(每题2分) 1. 92、0.989 2. 耗尽、增强 3. 大（或答：高）、强 4. 3、1、2、PNP 5. 电场 6. 静、动 7. 基、集电 8. 增大、增大、减小（或答：降低） 9. 图解、工程近似估算 10. 放大（或答：恒流）、饱和（或答：恒流或放大） 11. 直流、交流 12. 10、20、20 13. 栅源、漏极 14. NPN、PNP 15. B、A、C、PNP、50 16. 正向、反向 17. 放大 四、计算分析题(每题5分) 1. 先画出该电路的交流通路图如图所示 然后再画出小信号等效电路如图所示 由图可得 计算的最后结果数字： 2. 图（a）为P沟道耗尽型MOS管，其电路符号如下图（a）所示。UGS（off）=2V，IDSS=2mA。 图（b）为N沟道增强型NMOS管，其电路符号如下图（b）所示。UGS(th)=1V。 3. 图（a）为N沟道耗尽型MOS管，其电路符号如下图（a）所示。uGS（off）= -8V，IDSS=4