浅谈单片机的辐射.docVIP

浅谈单片机的辐射基本的电磁骚扰模型如下：本只考虑单片机作为骚扰源的情况。CMOS的单片机骚扰源可分为四个主要部分：1.由内部开关引起的电源和地线之间的电流As CMOS devices switch, time-varying currents flow on power and ground lines and contribute to both radiated and conducted EMI in several different ways. 在单片机电源和地线上时变的电流是电磁辐射和造成干扰的重要因素。当单片机内部开关切换的，电流从旁路电容中流入或者流出，这个环路包括旁路电容，到单片机电源脚的PCB引线，单片机的封装和bond的引线和从单片机地引脚的返回路径。在这个过程中，电流流过寄生电感（PCB导线，封装和bond线）引起的电压变化也会加剧电磁辐射。CMOS电流可分为三类：负载电流，穿通电流，和直流电流。负载电流用于对输出的容性负载进行充电或放电，负载电流是由CVF决定（C：内部负载电容，V是电压，F：控制信号频率）。负载电流的峰值由内部的Rdson和C组成的RC电路决定。穿通电流【重叠电流，短路电流】，是从单片机在切换过程中，PMOS和NMOS同时导通时候，电源到地线的电流。直流电流：一般是模拟电路的偏置电流，直流电流不会引起电磁辐射。