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太阳电池的光衰减机制和技术改进措施 本文由chenjun829贡献 pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 赵玉文 等 : P 型 ( 掺硼) 晶硅太阳电池的光衰减机制和技术改进措施 409 Ξ P 型 ( 掺硼) 晶硅太阳电池的光衰减机制和技术改进措施 赵玉文 ( 北京太阳能研究所 ,北京 100083) 摘　 :　 要 介绍了近年来对掺硼晶硅 ( Cz2Si 和 mc2Si ) 太阳电池 的光照衰减问题及衰减机制的研究结果 。通过光照及退火处理 前后少子寿命变化的研究以及光衰减与硼和氧浓度关系的研 究 ,表明引起掺硼晶硅太阳电池光照衰减的主要因素是硼和间 隙氧的存在 。同时介绍了减小或避免衰减的技术措施 。 关键词 : 　P 型 ( 掺硼) c2Si 太阳电池 ; 光衰减 ; 退火处理 ; 少子寿 命 中图分类号 : 　TM914. 4 　　　　 文献标识码 :A 文章编号 :100129731 ( 2003) 0420409203 问题的研究愈来愈受到重视 。进入 90 年代 ,研究集中于弄清光 伏衰减的基本机制 , 并出现了一些新的实验结果 , 如图 2 、 3 图 和图 4 所示 。 1　 　 引 言 晶硅太阳电池一直占据着光伏市场的主导地