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化学气相沉淀法合成单晶金刚石实验探索 小组成员： xxx： xxxxxxxxxxx xxx： xxxxxxxxxxx x x： xxxxxxxxxxx 目录 1.简介 2.金刚石化学沉淀的必要条件 3.化学沉淀法合成金刚石的方法 4.PCVD合成金刚石技术的发展历史与研究现状 5.MPCVD 单晶体金刚石成核过程和生长模式 6.影响MPCVD合成单晶体金刚石生长的主要因素 简介 化学气相沉积法(CVD=chelnicai Vapor Deposition)合成金刚石〔24,51是指在低压条件(≦I00kPa)下,采用一定方法激活含碳源气体,使其中的碳原子在基底(种晶)上过饱和沉积,生长成金刚石。碳源气体被激活和碳原子的沉积过程伴随着一系列化学反应,因此这种合成金刚石的方法被称为化学气相沉积法。该方法设备简单，生产成本低,可以在几天内生长出大颗粒的高质量单晶钻石,并且这种方法对金刚石的外貌和几何形态可以进行控制,因而使金刚石的功能在应用中得以充分的发挥。 实现金刚石的化学气相沉积有几个必要条件： 有碳源气体和激活碳源气体的能量,将碳原子从碳源气体中剥离出来; 有供CVD金刚石生长的物理空间,即基底,或称种晶,根据实验目的的不同可选用不同的基底,常用作基底的材料有硅，钨，铝等,但目前CVD法合成单晶体金刚石必须采用金刚石作种晶,才能实现单晶CVD金刚石的同质外延生长; 有供化学气