R8C1B单片机的Flash编程擦除挂起功能.docVIP

R8C/1B单片机的Flash编程/擦除挂起功能 技术分类： 微处理器与DSP? | 2007-09-11 张玉梅，张世航，瑞萨科技 北京 有限公司 　　Flash存储器已成为嵌入式系统中数据和程序最主要的载体。但是在对Flash进行编程或擦除的操作过程中，如果单片机需要处理一些紧急的情况 如中断、数据存储等等 ，就需要暂停相对比较消耗时间的Flash编程/擦写过程，优先处理这些紧急情况。这对Flash存储器的工艺水平及控制技术提出了更高的要求。 瑞萨公司推出的R8C/1B单片机采用改进的Flash存储器工艺，大大缩短了编程/擦除挂起的时间，使其能够更加及时地响应中断或进行其他操作。 　　Flash编程/擦除挂起功能　　所谓挂起功能，是指当Flash模块正在执行编程或擦除操作时，CPU改写模式可以暂停当前的Flash操作，将编程或擦除挂起的功能。在编程/擦除挂起的过程中，用户ROM区的内容可通过程序来读取。　　瑞萨R8C/TIny单片机在R8C/18以后的产品中 如R8C/1B ，较之以前的产品 如R8C/15 ，Flash存储器在编程/擦除挂起功能上有了很大改进，其具体功能的比较请参见表1，编程/擦除挂起操作时序请参见图1。　　由表1可以看出，R8C/1B单片机所采用的Flash模块工艺在以下方面拥有明显的优势。 挂起时间延迟最长为97μs+6个CPU时钟周期，最长的挂起重新启动时间延迟为3μs+4个CPU时钟周期；R8C/15单片机Flash模块只能在擦除时挂起，但改进Flash工艺的R8C/1B单片机在编程时也可以实现挂起功能；擦除时可以编程。　　图1为编程/擦除挂起的简单示意图，在编程/擦除开始之后，如果发生了某个中断请求，在等待一段挂起延迟之后，CPU转向中断子程序的处理。中断处理子程序执行之后，Flash存储器继续执行编程或擦除过程，直至操作结束。 　　Flash编程/擦除挂起功能的实现　　●? EW0模式与EW1模式　　CPU改写模式是通过固化在单片机程序存储器中的软件命令对Flash存储器进行编程的形式，适合对单片机进行在应用中编程 IAP 的场合，即能够在不使用Flash编程器，且将单片机安装在电路板的状态下实现对Flash的改写。　　CPU改写模式分为擦除/编程0模式 EW0模式 和擦除/编程1模式 EW1模式 。　　这两种模式的根本区别在于改写控制程序的执行区域不同。如图2所示，EW0模式中，改写控制程序在Flash存储器以外的区域执行，因此在这种模式下可以改写所有的用户ROM区。EW1模式中，改写控制程序依然存放在用户ROM区的某一个块中，并在此区域执行，因此在这种模式下，除了存有改写控制程序的块以外，其他的用户ROM区都可以被改写。 在执行擦除/编程的过程中，在EW0模式下CPU处于正常运行的状态，而在EW1模式下CPU处于保持状态。 　　●? Flash编程/擦除挂起的设定　　相关的寄存器　　与Flash编程/擦除挂起相关的寄存器是闪存控制寄存器4 FMR4 ，FMR4有6个位均与编程/擦除挂起功能相关，请参见表2。 　　EW0模式的擦除挂起设定　　对于EW0模式转移到擦除挂起时，首先需要将FMR40位置“1” 允许挂起 、FMR41位置“1” 请求擦除挂起 ，然后延迟一段时间 97μs+CPU时钟周期×6 ，在确认FMR46位为“1” 允许读 后才能对用户ROM区进行存取。如果将FMR41位置“0” 重新启动擦除 ，就重新开始自动擦除。设定过程如图3所示。注意，在EW0模式，请将所使用中断的中断向量表和中断程序存储在RAM区中。 　　EW1模式的擦除挂起设定 对于EW1模式，首先需要将擦除挂起功能设定为有效，即将FMR40位置“1” 允许挂起 ，并预先将需要响应的可屏蔽中断设定为中断允许状态。这样在执行块擦除命令后，如果该中断产生，经过一段时间延迟后 电气特性推荐值为：97μs+CPU时钟周期×6 ，就能执行擦除挂起，并接受中断请求。如果发生中断请求，FMR41位就自动变为“1”，执行擦除挂起。在结束中断处理后，如果自动擦除还没有结束 FMR00位为“0” ，就必须将FMR41位置“0”，重新开始自动擦除。设定过程如图4所示。 在EW1模式下执行擦除指令进行Flash擦除时 典型值为200ms/1K字节块 ，CPU虽处于HOLD状态，但可以接受中断响应，实现分时擦除。利用这个工作原理，下面给出一个R8C/1B单片机的应用实例，利用Timer 定时器 中断和Flash擦除挂起功能实现对擦除时间的估算。　　使用TimerX定时1ms，Flash擦除过程中每1ms挂起一次，进入中断处理程序并调整计时变量g_Timers。在擦除结束后，g_Timers所存