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2016-09-22 发布于重庆
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spi_flash(stm32spi_flash的编程).doc

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spi_flash(stm32spi_flash的编程)

本帖最后由 orange-208 于 2012-5-28 10:05 编辑 void SPI_Flash_Write(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u16 NumByteToWrite) SPI_FLASH_Write_SR(0x02);//使能状态寄存器中的写存储器? ?? ?? ?SST25V_DBSY();SPI_FLASH_Write_SR(0x02);//使能状态寄存器中的写存储器? ?? ?? ?SST25V_DBSY();实验目的：将数据写入外部FLASH中，然后再读出来显示在LCD上实验平台：基于STM32F103C8T6的彩屏开发板FLASH：SST25VF016Bflash_SST.c#include flash_SST.h#include spi.h#include delay.h//4Kbytes为一个Sector//16个扇区为1个Block//SST25VF016B//容量为2M字节,共有32个Block(块),512个Sector（扇区）//初始化SPI FLASH的IO口//修改状态寄存器，允许芯片存储器被写void SPI_Flash_Init(void){RCC-APB2ENR|=12;? ?? ???//PORTA时钟使能? ?? ???GPIOA-CRH=0XFFFFFF0F;GPIOA-CRH|=0? ? //PA9 推挽? ?? ?? ?GPIOA-ODR|=19;? ?? ?? ? //PA9上拉SPIx_Init();? ?? ?? ?? ?? ?//初始化SPISPI_FLASH_Write_SR(0x02);??//使能状态寄存器中的写存储器SST25V_DBSY();} //读取SPI_FLASH的状态寄存器//BIT7??6? ?5? ?4? ?3? ?2? ?1? ?0//SPR? ?RV??TB BP2 BP1 BP0 WEL BUSY//SPR:默认0,状态寄存器保护位,配合WP使用//TB,BP2,BP1,BP0:FLASH区域写保护设置//WEL:写使能锁定//BUSY:忙标记位(1,忙;0,空闲)//默认:0x00u8 SPI_Flash_ReadSR(void)??{ u8 byte=0;??SPI_FLASH_CS=0;? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ? //使能器件??SPIx_ReadWriteByte(SST25_ReadStatusReg);? ? //发送读取状态寄存器命令? ?byte=SPIx_ReadWriteByte(0Xff);? ?? ?? ?? ? //读取一个字节 SPI_FLASH_CS=1;? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?//取消片选? ? return byte;??}//写SPI_FLASH状态寄存器//只有SPR,TB,BP2,BP1,BP0(bit 7,5,4,3,2)可以写!!!void SPI_FLASH_Write_SR(u8 sr)??{??SPI_FLASH_CS=0;? ? //片选SPIx_ReadWriteByte(SST25_EnableWriteStatusReg);??//使能写状态寄存器命令??SPI_FLASH_CS=1;? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ? //取消片选SPI_FLASH_CS=0;? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ???//片选? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?SPIx_ReadWriteByte(SST25_WriteStatusReg);? ?//发送写取状态寄存器命令? ?SPIx_ReadWriteByte(sr);? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ???//写入一个字节 SPI_FLASH_CS=1;? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ? //取消片选? ?? ?? ?? ?? ???} //SPI_FLASH写使能//将WEL置位??void SPI_FLASH_Write_Enable(void)??{SPI_FLASH_CS=0;? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ? //使能器件??SPIx_ReadWriteByte(SST25_WriteEnable);? ?? ?//发送写使能 SPI_FLASH_C