掺杂Ti元素对ZnO压敏陶瓷电性能的影响.docxVIP

掺杂T元素对ZnO压敏陶瓷电性能的影响 ——第二实验小组 摘要：研究了Ti元素的不同掺杂量对氧化锌压敏陶瓷的显微结构和电性能的影响。发现了掺杂Ti元素可降低压敏陶瓷的压敏电压，增大非线性系数。这主要与Ti元素可促进晶粒生长有关。 关键词：ZnO压敏陶瓷 微观结构 晶粒生长 压敏电压 压敏电阻陶瓷材料是指在一定温度下和某一特定电压范围内具有非线性伏安特性、 其电阻随电压的增加而急剧减小的一种半导体陶瓷材料。根据这种非线 性伏-安特性，可以用这种半导体陶瓷材料制成非线性电阻器，即压敏电阻器。 压敏电阻器根据所应用的电压范围可以分为高压压敏电阻器、 中压压敏电阻器和 低压压敏电阻器。 1 实验 1.1 样品制备 配料：ZnO、Bi2O3、TiO2、Co2O3、MnO2、Sb2O3 陶瓷材料中的所有成分都可以溶解在粒间相中， 在烧结过程中， 晶粒交界处可能形成尖晶石晶体，但是它们不参与导电过程。氧化物的改性添加可以改变晶粒电导或晶界的结构及化学状态，尤其是偏析于晶 界的杂质对晶界活性有很大的影响， 因而适当的掺杂选择对形成和改善非线性起 着很重要的作用，而且晶界势垒是 ZnO 压敏陶瓷烧结时在高温冷却过程中形成 的， 烧结工艺直接影响杂质缺陷在晶界中的分布， 从而影响晶界化学结构。 寻求一个相对合适的 ZnO 压敏陶瓷的低压化配方，并且将所学专业理论知识与实际相结合，经查阅文献，我们设计了