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太阳能电池的分类 太阳能电池的分类 太阳能电池原理（光电效应） 光伏发电：是指当某种结构的半导体器件，受到光照时将产生直流电压（或电流）;当光照停止后电压（或电流）立即消失的现象。 如果光线照射在太阳能电池上并且光在界面层被吸收，具有足够能量的光子能够在P型和N型半导体中将电子激发出来，以致产生电子-空穴对。 光谱特性：太阳能电池并不能把任何一种光都同样的转化为电。由于光的波长不同转化为电的比例也不同。 太阳能电池原理（光电效应） 半导体材料禁带宽度与物理性质 Ⅲ-Ⅴ族太阳能电池 元素周期表中Ⅲ族元素和Ⅴ族元素形成的化合物简称Ⅲ-Ⅴ族化合物。其是继锗（Ge）和硅（Si）材料以后发展起来的半导体材料。 发展历史： ① 1839年，法国科学家 E.Becquerel博士发现“光电效应”。 ② 1883年， Charles Fritts博士，制成第一个太阳能电池，是通过硒晶圆片制作的。 ③ 1904年，Hallwachs博士发现Cu、Cu2O对光的敏感性。 ④Cu、Cu2O电池的研发。 Ⅲ-Ⅴ族太阳能电池 ⑤ 1954年，Wakker首次发现砷化镓有光伏效应。 ⑥ 1955年，美国RCA公司研究砷化镓太阳能电池转换效率达8%。 ⑦ 1962年，砷化镓太阳能电池转换效率达13%。 ⑧ 1973年，砷化镓太阳能电池转换效率达15%。 ⑨ 1980年，砷化镓太阳能电池转换效率达22%。 ⑩ 2006年，波音子公司研发出41%的砷化镓太阳能电池。 Ⅲ-Ⅴ族太阳能电池 Ⅲ-Ⅴ族化合物的晶格常数与带隙 一般而言，晶格常数越小，半导体材料带隙则越大。一般而言三元甚至四元材料的晶格常数与材料组成呈线性关系，称为费伽德定律（Vegard Law）。 因此，比起硅基材料，Ⅲ-Ⅴ族化合物的带隙有很 大的设计自由度。其可通过多结多带隙的叠合结 构来得到超高（ 25%）的转换效率。 磷化铟（InP）型太阳能电池 材料特性：InP是一种属于直接带隙半导体材料，在室温下带隙值约为1.35eV，晶格常数为5.869A。其光吸收范围约在可见光至红外光区。 相较于硅基型太阳能电池与砷化镓型太阳能电池， 磷化铟内部缺陷易受温度影响而移动，可自动修复 辐射造成的缺陷劣化，因此具有最佳的抗辐射性， 可应用于太空用太阳能电池。 磷化铟（InP）型太阳能电池 磷化铟（InP）半导体材料具有电子极限漂移速度高，耐辐射性能好，导热好的优点，与砷化镓半导体材料相比它具有击穿电场、热导率、电子平均速度均高的特点。 其具有宽禁带结构，所以其受外界影响较小，稳定性很高。 磷化铟（InP）太阳能电池一般应用于卫星，航天器上，因其具有很好的抗辐射特性。 磷化铟（InP）型太阳能电池 基本结构： * CleanEnergyInP太阳能电池 座机电话号码47 吴晨笛 Contents 太阳能电池的分类 太阳能电池原理 Ⅲ-Ⅴ族太阳能电池 发展前景 4 1 2 3 The Introduction of New Clean Energy_Solar Cells Hot Tip 发展太阳能电池的必要性 随着现代工业的发展，全球能源危机和大气污染问题日益突出。太阳能作为理想的可再生能源受到许多国家的重视。不可再生能源的减少和环境污染的双重压力，使得太阳能电池的发展日新月异。 [ Image information in product ] Image : Note to customers : This image has been licensed to be used within this PowerPoint template only. You may not extract the image for any other use. 类别 太阳能 风力 生物质 生物燃料 小水力 地热 投资/亿美元 1470 840 110 70 60 30 比例/% 56.89 32.56 4.26 2.71 2.33 1.16 2011年对各类可再生资源投资额及其所占比例 Development 2004 2005 2006 2007 2008 2010 0 500 1000 1500 2000 2500 / 亿美元 全球对可再生能源投资年度增长趋势 太阳能电池 硅 化合物 纳米-有机 晶体硅 非结晶硅薄膜 单晶 多晶薄膜 单晶硅型 多晶硅型 结晶硅型 按材料种类进行分类 太阳能电池 结晶系薄膜式 非结晶系薄膜式 单结晶形 多结晶形 按结晶状态进行分类 如图，为太阳能电池的基本构造及其发电原理。 1）当太阳光照射到太阳能电池上时，太阳光通过P型半导体及N型半导体产生自由电子（负极）及空穴（正极）。 2）由于没有外加电源，因此产生的自由电子和空穴