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二极管及其基本电路5sinωt V ，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出uI与uO的波形，并标出幅值。 四、在下面图示电路中，设 uI 12sinωt（V），试分别画出iD、uD和uO的波形（要求时间坐标对齐），并将二极管电流iD的峰值和其所承受的反向电压峰值标于图中（假定D为理想二极管）。 六、二极管电路如图所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO两端电压VAO。设二极管为理想器件。 七、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求图示电路中UO1和UO2各为多少伏。 第四章 三极管及其电路 4. 工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（ ）。 5. 工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是（ ），流过集电结的电流主要是（ ）。（扩散电流/漂移电流） 6. 反向饱和电流是由（ ）载流子形成，其大小与（ ）有关，而与外加电压（ ）。 7．测得某放大电路中三极管的三个电极A、B、C对地点的电位分别为-11、-6、-6.7，则A电极为（ ） 极，B电极为（ ）极，Ｃ电极为（ ）极。 2．测得放大电路中的两只晶体管的各电极直流电位如图3.2所示。试在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。 3．已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图所示。试分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。 §4.2 一、（1）放大电路组成原则有哪些？利用这些原则分析（2）题 （2）试分析图示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。 三、画出图示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。 §4.3 一、在下图所示电路中，已知晶体管的 ＝80，r be＝1kΩ，Ui＝20mV；静态时UBEQ＝0.7V，UCEQ＝4V，IBQ＝20μA。判断下列结论是否正确，凡对的在括号内打“ ”，否则打“×”。 （1）（ ） （2）（ ） （3）（ ） （4）（ ） （5）（ ） （6）（ ） （7）（ ） （8）（ ） （9）（ ） 10 （ ） （11）≈20mV （12）≈60mV 四、共发射极放大电路及三极管的伏安特性如图所示。 用图解法求出电路的静态工作点，并分析这个工作点选得是否合适？ 在UCC和三极管参数不变的情况下，为了把三极管的集射极电压UCEQ提高到5V左右，可以改变哪些电路参数？如何改变？ 在UCC和三极管参数不变的情况下，为了使ICQ 2mA，UCEQ 2V，应改变哪些电路参数，改变到什么数值？ 五、 电路如图（a）所示，该电路的交、直流负载线绘于图（b）中。 试求：（1）VCC、IBQ、ICQ、VCEQ的值； （2）电阻Rb、Rc的值； （3）输出电压的最大不失真幅度； （4）要使该电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多少？ 六、单管放大电路如图所示，已知BJT的电流放大系数 ＝50。 （1）估算Q点； （2）画出简化H参数小信号等效电路； （3）估算BJT的输入电阻rbe和放大电路的输入电阻Ri 、输出电阻Ro； （4）如输出端接入4kΩ的负载电阻，计算Av vo / vi和Avs vo / vs。 三、电路如图所示，晶体管的 ＝60，。 （1）求解Q点； （2）画出微变等效电路，并求、Ri和Ro； （3）设Us＝10mV（有效值），求UI、UO；若C3开路，求UI、UO 、Ri和Ro。 四、 电路如图，已知晶体管的β 100， 100Ω，UBEQ 0.7V。1）试估算该电路的静态工作点（ICQ，UCEQ）；2）画出电路的微变等效电路（C1，C2，Ce足够大）；3）求该电路的电压增益Au；4）求输入电阻Ri 和输出电阻Ro；5）出现图所示失真时，请问是何种失真？若调整Rb2应该将其增大还是减小？ §4.5 一、 电路如图所示，晶体管的 ＝80，rbe 1kΩ。 （1）求出Q点； （2）分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时电路的和Ri； （3）求出Ro。 二、共基电路如图所示。射极电路里接入一恒流源，设 ＝49，Rs＝0，RL＝∞。试确定电路的电压增益、输入电阻和输出电阻。 §4.6 一、判断图4.6.1所示各两级放大电路中，T1和T2管分别组成哪种基本接法的放大电路。设图中所有电容对于交流信号均可视为短路。 第五章 场效应管放大电路 一、填空题： FET有两种主要类型即（） 和（），FET是利用（）来控制其电流大小的半导体器件。 在MOSFET中，从导电载流子的带电极性来看，有（）管和（）管之分；而按照导电沟道形成机理不同NMOS管和PMOS管又各有（）型和（）型两种。因此，