ywh霍尔效应及霍尔元器件基本参数测定汇编.pptVIP

一、实验目的 1.了解霍尔效应原理以及霍尔器件对材料的要求 2.测元件的霍尔系数、载流子浓度及迁移率 3.确定导电类型 4.了解对称测量法 二、实验原理 洛伦兹力 荷兰物理学者亨德里克·洛伦兹提出。 定义：磁场对运动电荷的作用力。运动 v 电荷 q 在磁场 B 中所受到的力（F）。 计算洛伦兹力：FB qvB 洛伦兹力FB qvB的方向判断： 疑问？ 霍尔电压可测或可计算？ 霍尔电压与哪些因素有关？ 与直流电流有关吗？ 与磁场有关吗？ 与元件有关吗？ 3、VH-Is关系：直线 4、VH-IM关系：直线 三、实验仪器 表10-1： 保持 Im 0.600A不变，测霍尔电压 表10-2：保持Is 3.00mA不变，改变IM, 测量霍尔电压 -12.18 12.37 -11.99 12.02 -12.32 0.8 -10.65 10.84 -10.47 10.5 -10.8 0.7 -9.14 9.32 -8.95 8.99 -9.28 0.6 -7.61 7.8 -7.43 7.47 -7.75 0.5 -6.09 6.27 -5.91 5.95 -6.23 0.4 -4.56 4.74 -4.37 4.41 -4.73 0.3 UH mV U4 mV U3 mV U2 mV U1 mV IM mA * 实验10 Page 96 1879年, 美国物理学家霍尔 E. H. HaLL 发现： B Is⊥B Is 为什么出现 霍尔电压？ 运动电荷受磁场力的作用有关 右手定则： 大拇指反方向 FB方向 q负 大拇指方向 FB方向 q正 确定F方向 大拇指方向 B方向 四指弯曲方向 V方向 四指方向 霍尔效应 N型半导体 Negative ：电子为载流子 F洛 B - v e B 测得霍尔电压为负 negative s s 测得霍尔电压为正 （positive B P型半导体（positive）：空穴为载流子 s s F洛 b:霍尔片高度 d: 霍尔片宽度 V1 V2 s s F洛 b:霍尔片高度 d: 霍尔片宽度 E:电场强度 1、霍尔电压 VH V1-V2 : 计算霍尔电压 ：VH bE P型半导体：空穴为载流子 V1 V2 怎么求电场强度E？ 可测，可计算？ s s F洛 平衡时F洛 Fe n载流子数密度 霍尔电压V1-V2 bE E ？ 运动电荷速度v ？ V1 V2 s s F洛 n载流子数密度 S bd为霍尔片截面积 d为霍尔片宽度 s 运动电荷速度v ？ 霍尔电压VH bE bvB 霍尔系数RH 问：怎么用可测的VH求霍尔系数RH？ 霍尔系数： 反映霍尔效应强弱； 其符号决定于试件中载流子是带正电荷（空穴）或负电荷（电子）。 与电流、磁场强度、霍尔片有关？ 2、求霍尔系数RH B kIm k已知，为B与励磁电流Im的转化系数，从测试仪上查出）； 所加的励磁电流Im和直流电流Is可知道; d为霍尔片厚度。 保持励磁电流IM（可测）不变，则B不变； B kIM k已知，为B与IM的转化系数，从测试仪上查出）； d为霍尔片厚度 测VH、Is， 作VH-Is直线 常数 测定数据 表10-1 保持Is（可测）不变； k已知，为B与IM的转化系数； d为霍尔片厚度 测VH、IM 作VH-IM直线 测定数据 表10-2 常数 e 1.6×10-19C 5、求载流子浓度n μ l为已知，为A、C距离； S bd为霍尔片截面积； 零磁场Im 0时，A、C之间的电位差 7、判断N或P型 霍尔效应测磁场 霍 尔 效 应 实 验 仪 霍尔 效应 实验 组合 仪 IM输入 Is输入 VH/Vσ输出 实 验 仪 参考讲义 注意： 开关机前，测试仪上的“IM调节”及“IS调节”旋钮 均置于零（逆时针旋到底）。 1.连接测试仪与实验仪之间的各组连线page 99 图10-2 红-红连线 黑-黑连线 IM输入 Is输入 VH/Vσ输出 实验仪 目的消除误差： 霍尔元件中的副效应 不等势电压; 由温差电效应、热磁效应引起的附加电压 分别测量四组不同的A’、A两点的电位差 若“实验仪”约定开关IM（相当于B）、IS向上合为正，则向下合为负。 向下合 向下合 向上合 向上合 IS开关 向上合 向下合 向下合 向上合 IM开关 +B，-IS -B，-IS -B，+IS +B，+IS 实验仪 “实验仪”开关方向约定：正负 IM输入 Is输入 2. 测绘VH-Is直线 按表10-1依次改变Is, 测量UH, IM输入 Is输入 VH/Vσ输出 -12.15 12.39 -11.91 11.95 -12.35 4.00 -10.65 10.86 -10.43 10.47 -10.82 3.50 -9.14 9.32 -8.9