巨磁阻抗效应磁敏开关的研制外文翻译试题.docVIP

浙江师范大学本科毕业设计(论文)外文翻译 译文： 电力电子技术 德尔福能源及发动机管理系统阿育王梁国Bhat维多利亚大学Bimal光玻色田纳西大学 30.1电力半导体器件 现代电力电子开始实行晶闸管在1950年代末期。现在，有几种类型的功率器件，可用于高功率和高频率的应用。最显着功率器件的门关断晶闸管，功率达林顿晶体管，功率MOSFET和绝缘栅。 双极晶体管（IGBT） 电力半导体器件是最重要的功能元件的所有电源转换应用。电力设备主要用作开关电源转换的一种形式另一种。它们被用来在电机控制系统，不间断电源，高压直流输电，电源供应器，感应加热，而且在许多其他电源转换应用。审查的基本这些特性的功率器件，载于本节。 晶闸管和双向晶闸管 晶闸管，也称为可控硅（晶闸管），基本上是一个四层三结pnpn设备。它有三个终端：阳极，阴极和栅极。该装置是由采用短脉冲跨越门和阴极。一旦装置打开，大门就失去了控制，关闭该设备。在关闭是所取得的应用反向电压在负极。晶闸管象征及其伏安特征图30.1所示。基本上有两种分类晶闸管：转炉级和变频级。之间的差异转换级和逆变级晶闸管是低关闭时间（在命令几个微秒）后者。该转换器级晶闸管缓慢型和用于自然减刑（或相位控制）的应用。逆变级晶闸管被迫使用减刑等应用的DC - DC直升机和直交变频器。逆变级晶闸管已打开关闭，迫使现零使用外部整流电路。这需要额外的整流组成部分，从而导致更多的损失，逆变器。 晶闸管非常坚固的设备方面的瞬态电流，di/dt的，和dv/dt的能力。那个转寄电压晶闸管下降约1.5至2伏，甚至在更高的电流秩序的1000安，但很少超过3伏，虽然正向电压决定了对国家的功率损耗的设备，随时目前，开关功率损耗成为主导因素影响的设备结点温度高操作频率。正因为如此，最大开关频率可能是有限的使用晶闸管相对于其他电力设备审议本节中。 图30.1 （一）晶闸管符号和（b）伏安特性 晶闸管有I2t承受能力，并能够得到保护的保险丝。浪涌电流的重复能力晶闸管是大约10倍额定均方根（有效值）电流。他们必须得到保护由缓冲网络dv/dt的和di/dt的影响。如果指定dv/dt的被超过时，可能会开始进行晶闸管而不适用门脉冲。在直流到交流的转换应用，有必要使用反平行二极管类似的评价在各主要晶闸管。晶闸管可高达6000伏，3500A。 可控硅是一对功能转换级晶闸管连接在反平行。的象征和可控硅伏安特性中显示图30.2所示。由于一体化，差重新可控硅摄像机/DT公司，穷人门在当前敏感开启，和更长的关闭时间。双向主要用于相位控制应用，如在交流稳压器用于照明和风扇控制和固态继电器交流。 图30.2 （一）双向符号和（b）伏安特性 门关断晶闸管（可关断晶闸管） 在地球静止转移轨道是一个电源开关装置，也可以打开一个短脉冲电流和闸门关闭反向栅极脉冲。这种反向栅极电流幅值取决于阳极电流，以将其关闭。因此，无需外部整流电路，以将其关闭。因为关闭所提供绕过运营商直接向门电路，其关断时间短，从而使更多的能力高频操作比晶闸管。可关断晶闸管的象征和关闭的特点列于图30.3。 地面观测系统的I2t承受能力，因此能够得到保护的半导体引信。可靠的全球地面观测系统运作的关键方面是正确的设计，门关断电路和缓冲电路。 图30.3（一）可关断晶闸管符号和（b）关闭的特点 可关断晶闸管的穷人关闭电流增益秩序的4至5。例如，2000年峰值电流可关断晶闸管可能要求高达500反向栅极电流。此外，可关断晶闸管的倾向锁存温度以上1250C角地面观测系统，可达到约4500伏，2500A。 反向导电晶闸管（RCT的）和非对称可控硅整流器（ASCR）通常在逆变器的应用，在反平行二极管连接到晶闸管的减刑/自由目的。在随机对照试验，二极管与一个快速晶闸管在一个单一的硅芯片。在一些电力设备可能会减少。这种一体化提出了实质性的改善静态和动态特征，以及其整体电路性能。 地区反恐怖机构的目的主要是为特定的应用，如牵引机。二极管的反向平行的限制可以减半。正因为如此，开关损耗也将很低。门协助关闭技术用于甚至进一步降低关断时间的ASCR 。中的应用一个负电压的大门在关闭帮助疏散储存电荷的装置和艾滋病回收机制。这将有效降低关断时间的系数2的传统设备。 功率晶体管 功率晶体管中使用的应用范围从少数几个一零零千瓦和开关频率高达10kHz的。功率晶体管用于功率转换应用，一般的NPN类型。功率晶体管是打开的是提供足够的基础目前，这个基地已成为驱动器保持其传导期。它是通过消除关闭基地的建设和决策的基础电压略有下降（内部—VBE(最大值)）。的饱和电压的器件通常是0.5到2.5V和随电流增大。因此，对国家的损失超过比例的增加与当前。晶体管关闭状态的损失远低于对国家的损失，因为泄漏电流的装置是秩序的几个毫安。由于