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座机电话号码307 金鑫 通信三班 一.填空题（每题2分，共20分） 1. N型半导体是本征半导体中掺入（ ）价元素，其中多数载流子是（ ）； 2. 场效应管有（ ）种载流子同时参与导电。半导体三极管有（ ）种载流 子 同时参与导电 3.晶体二极管的伏安特性方程式为（ ）。 4.MOS管工作在饱和区时,若考虑沟道长度调制效应，则 ID的修正方程为 u*Cox *W VGS-VGS th 2 1-VDS/VA /2L 。 5.三极管工作于放大状态时，它的两个PN结的偏置情况（ ）。 6．在三极管中，发射极电流包含两个部分，以NPN管为例，一部分是发射区电子通 过发射区注入到基区的电流和（ 通过发射结注入到发发射区而形成 的空穴电流 ）。 7.在由三极管组成的三种基本放大电路中，电流放大能力最小的是（ ）电路。 8.集成MOS放大器分为E/E MOS、E/DMOS和（ ）三种类型。 9在差分式放大器中，两个输入端的电压分别为， 则共模输入电压为（ ）。 10.为了稳定输出电流和减小输入电阻，应在放大电路中引入（ ） 负反馈。 二.简答题 1.简述PN结特性。 伏安特性正偏时导通，反偏时截止 击穿特性 温度特性，温度影响导通电压和反偏电流 电容特性扩散电容势垒电容 开关特性2.试根据放大电路的组成原则，判断图2所示电路是否具备放大条件，并说明原因 图2 3.场效应管的输出特性曲线如图3所示，试判断场效应管的类型，确定 VGS（th）（或VGS（off））值。 图3 4.试确定图4所示集成运放组成的负反馈放大器的类型，并求其电压增益。 图4 放大器放大信号的实质是什么？ 6. 图5为一个两级放大器，试判断其反馈类型和反馈性质 图5 三、计算题 2、图7所示差分放大器中，已知场效应的，若电容 对交流呈短路，，试求值。 图7 估算ISSVGS+ISS*RSS+VSS VGS+5.1ISS-12 0 2 IDQ U*COX*W VGS-VGS th VGS-VGS th /2L 3 ISS 2IDQ解上述三个方程得： IDQ 1.17mA IDQ 1.39mA VGS 80.88mV VGSQ -2.179V VT 不合理，舍去 所以，ISS 2IDQ 2*1.17 2.34 求得 gm 2.16mSAvd2 1/2gm RD//RL 5.4Avc2 -gm RD//RL / 1+gm*2RSS -0.47KCMR 5.4/0.47 11.49单端输入时，求输出 Vic Vi1+Vi2 /2 5mVVid Vi1-Vi2 10mVVo Avc2Vic+Avd2vid 51.65mv