蒙特卡罗方法(Ⅲ)技术总结.pptVIP

在相变温度以上，涡旋是自由的。在相变温度之下，自旋涡旋是成对出现的，并且对于 TTKT的所有温度系统都和 T=TKT时一样。 §4 蒙特卡罗方法应用---经典自旋体系 （1）选取系统的初始构型为高温（T = ∞）下的完全无序排列，即格点上的每个自旋方向是随机选取的。 （2）急速降温至T ~0 ，改变Boltzmann 分布中的指数值β = 1/ k B T 时步长间距要大，在每个温度值下按照Metropolis 抽样法产生系统的各种构型。由于急速冷却，系统可以形成长寿的亚稳态涡旋结构。 （3）根据涡旋的旋转方向赋以正负号。在涡旋中心，其4个顶角上的自旋方向之间的角度差之和为±2π，相应于+2π 为正涡旋，?2π为反涡旋。相变温度下正涡旋和反涡旋是同时出现的。 对于这个体系，除了计算比热等之外，还可以计算涡度（单位面积上的涡旋数目）与温度的关系。 计算模拟思路 Heisenberg 模型 自旋可取3维空间中的任意方向，Hamilton 量为 （1）Ising 模型中自旋矢量只有一个分量，XY 模型中有两个分量，在Heisenberg 模型中有三个分量。 §4 蒙特卡罗方法应用---经典自旋体系 （3）外加磁场方向只是在空间中设定了某个自旋分量的优先取向，而对其它两个分量则无影响。 （2）模型是以自旋矢量分量的数目区别的，每种模型中自旋占据的格子点阵则可以分别有一维、二维和三维。除了对J 0 的铁磁性和J 0 的反铁磁性加以区别外，在各分量之间还可进一步加上不同的权重因子以模拟各向异性的情况。 在系统基态上，所有自旋按照完全有序的平行或反平行排列，在有限的温度下由于热激发出现能量较高的状态。在Ising 模型中这样的激发态是自旋的反转，在Heisenberg 模型中可以出现周期性的自旋波激发，它是系统的一种集体行为。 三种自旋系统的激发态模式：自旋波、涡旋、孤立子。 而在一维XY 模型中可以出现孤立子激发，一维链上的自旋发生2π 的扭转，在反铁磁情况下这种扭转有3种：（1）一种自旋子格子上的自旋扭转π ，而另一种扭转?π ；（2）两种子格子的自旋各自扭转π ；（3）一种子格子上的自旋不变，而另一种扭转2π 。 其量子称为磁子，由自旋波的Bose 统计可以推导出磁化强度与温度成T 3 /2 的关系。 §4 蒙特卡罗方法应用---经典自旋体系 反铁磁自旋系统的KT 相变，在高温下涡旋对发生解离。 对于三维Heisenberg 模型，其中的一个自旋分量在外加磁场下呈现有序，而另外两个分量出现类似于Kosterlitz-Touless 相变的束缚拓扑态激发。随着温度升高，涡度增加但正负涡旋束缚态开始解离. §4 蒙特卡罗方法应用---经典自旋体系 q 态Potts 模型在介观尺度的微结构模拟中有着广泛的应用。Potts 模型是Ising 模型的推广，其主要差别在于广义的自旋σ 的取值可为q 个离散状态，以代替Ising模型中只能取“向上”和“向下”的布尔自旋变量，系统的Hamilton 量是: q 态Potts 模型 只有当最近邻格点对有相同的态时，这对格点间才形成一条连接键。显然，Ising 模型相当于q = 2 的Potts 模型。 §4 蒙特卡罗方法应用---经典自旋体系 （1）引入自旋的离散谱后，可以将有相同广义自旋取值的区域表示为广义畴，在微结构的模拟中，畴可以理解为晶体材料中具有相似取向的区域，广义自旋取向则描述了晶格能量、表面能、位错密度等与结构有关的基本物理量，从而将原始研究自旋的模型推广到可以模拟材料的微结构。如图所示，晶粒可以用广义自旋有相同取向的畴所组成的晶格区域表示，每个格点具有一定的能量，比如它表示由塑性形变产生的储存弹性能。 Potts 模型中格点的广义自旋取值形成的畴区域。 §4 蒙特卡罗方法应用---经典自旋体系 §4 蒙特卡罗方法应用---经典自旋体系 （2）Potts 模型的模拟方法和上面的Ising 模型相似，每一个模拟步骤都是用常规Metropolis 抽样完成的，稍微复杂的是，自旋的取向状态有q 个，因此要从q ?1个其它可能的状态中用随机数任意选取一个状态，还可以在模拟前事先确定状态反转后ΔE 的取值表以加速模拟。 对于Potts 模型的相变，小q 值时二级相变，大q时是一级相变。已知， q 4 的二维模型和q 2 的三维模型有一级相变。 （3）Potts模型可以模拟畴大小和形状在介观尺度上的随“时间”的演化，如畴的生长和收缩。 §4 蒙特卡罗方法应用---经典自旋体系 用Potts 模型对三维（上）和二维（下）晶粒生长的Monte Carlo 模拟结果。 Potts 模型的应用例子：石墨表面上氦原子的吸附。由于石墨表面原子的蜂巢形排列，氦原子容易吸附在蜂巢形格子的中心位