模拟电路第二章-1技术总结.pptVIP

第二章 双极型晶体管及其放大电路 即在满足内部结构要求的前提下，三极管要实现放大，必须连接成如下形式： 三极管内部载流子运动分为三个过程： 三极管内部载流子运动分为三个过程： 三极管内部载流子运动分为三个过程： 三极管内部载流子运动分为三个过程： 三极管内部载流子运动分为三个过程： 三极管内部载流子运动分为三个过程： 偏置要求 对 NPN管 要求 UC ＞ UB＞ UE 偏置要求 对 PNP管 要求 UC ＜ UB ＜ UE 现以iB=40uA一条加以说明： 现以iB=40uA一条加以说明： 输出特性曲线可以划分为三个区域： 输出特性曲线可以划分为三个区域： 输出特性曲线可以划分为三个区域： BJT共射接法的输入特性曲线 ①C、B间反向饱和漏电流 ② 管子C、E间反向饱和漏电流 ③管子反向饱和漏电流 硅管比锗管小。 此值与本征激发有关。 取决于温度特性（少子特性）。 （2）集电极最大允许电流 ICM 留有一定的余量。 ICM 指β下降到额定值的2/3时 的IC值。  结论 分压式偏置电路中，若温度升高，β增加，IBQ减小，ICQ= βIBQ不变，UCEQ不变 所以，RE起了稳定工作点的作用。 (a) 电路 I C Q ＋ － U CE Q 270k R B U BB 6V I B Q U CC 12V R C 3k 例2：若UBB从零增加，说明晶体管的工作区间以及IBQ、ICQ、UCEQ的变化情况？ 当UBB从0~0.7V之间时，两个结都反偏，管子进入截止区。IBQ=ICQ≈0。UCEQ≈UCC。 分析： (a) 电路 I C Q ＋ － U CE Q 270k R B U BB 6V I B Q U CC 12V R C 3k 当UBB继续增大，发射结正偏，集电结发偏，管子进入放大区。随着IBQ的增大，ICQ=βIBQ也增大。UCEQ=UCC- ICQ×RC不断下降。 (a) 电路 I C Q ＋ － U CE Q 270k R B U BB 6V I B Q U CC 12V R C 3k 当UBB增大到UCEQUBEQ时，集电结 正偏，管子进入饱和区。此时，IBQ的增加，不能引起ICQ的增加。UCEQ≈ UCE（sat） ≈0 ，ICQ ≈UCC/RC。 2―3―2 晶体管工作状态分析 R B U BB U EE R E R C U CC (a)电路 UBB-UEE≤UBE(on) 且UBB＜UCC， 则晶体管截止 1、首先判断晶体管是否截止： 此时：IB=IC=IE=0， UBE=UBB-UEE， UCE=UCC-UEE。 R B U BB U EE R E R C U CC (a)电路 2.再判断晶体管是处于放大状态还是饱和状态： 若UBB-UEEUBE(on) 则发射结正偏，下面关键是判断集电结是 正偏还是反偏。 若假定为放大状态：则直流等效电路如图2-11(b)所示， R B U BB R C U CC U EE R E U BE(on) βI B 图2-11(b) 放大状态下的等效电路 ∵ UBB - UEE - UBE(on) =IBQRB+(1+β)IBQRE 方法1： 则晶体管处于放大状态； 则晶体管处于饱和状态； ∴ 方法2： 则晶体管处于放大状态； 则晶体管处于饱和状态； 图2―11晶体管直流分析的一般性电路 R B U BB R C U CC U EE R E U BE(on) (c)饱和状态下的等效电路 U CE(sat) 晶体管处于饱和状态时： 如果晶体管是浅饱和(即IBQ不大)，则ICQ的近似值计算如下： 例2 晶体管电路及其输入电压ui的波形如图2--12(a),(b)所示。已知β=50，试求ui作用下输出电压uo的值，并画出波形图。 R 3 3k U CC 5V R B 39k u i ＋ － ＋ － u o (a)电路 图2―12例题2电路及ui,uo波形图 0 5 t u o / V 0.3 (c) uo波形图 0 3 t u i / V (b) ui波形图 R 3 3k U CC 5V R B 39k u i ＋ － ＋ － u o β=50 解:当ui=0时，UBE=0，则晶体管截止。此时，ICQ=0,uo=UCEQ=UCC=5V。当ui =3V时，晶体管导通且有 而集电极临界饱和电流为 因为 所以晶体管处于饱和。 ICQ≈IC(sat)=1.4mA， uo=UCEQ=UCE(sat)=0.3V。 uo波形如图2―12(c)所示。 补充例题1电路 补充例题1 晶体管电路如下图所示。已知β=100，试判断晶体管的工作状态。 5V R B U BB R E R