2009级模拟题（2012-1-4--2012-1-5）.docVIP

2009级模拟题 2012-1-4--2012-1-5 题目内容： 一.填空题（每题2分，共20分） 1.N型半导体是本征半导体中掺入（ ）价元素，其中多数载流子是（ ）； 2.场效应管有（ ）种载流子同时参与导电。半导体三极管有（ ）种载流 子 同时参与导电 3.晶体二极管的伏安特性方程式为（ ）。 4.MOS管工作在饱和区时,若考虑沟道长度调制效应，则 ID的修正方程为 u*Cox *W VGS-VGS th 2 1-VDS/VA /2L 。 5.三极管工作于放大状态时，它的两个PN结的偏置情况（ ）。 6．在三极管中，发射极电流包含两个部分，以NPN管为例，一部分是发射区电子通 过发射区注入到基区的电流和（ 通过发射结注入到发发射区而形成 的空穴电流 ）。 7.在由三极管组成的三种基本放大电路中，电流放大能力最小的是（ ）电路。 8.集成MOS放大器分为E/E MOS、E/DMOS和（ ）三种类型。 9在差分式放大器中，两个输入端的电压分别为， 则共模输入电压为（ ）。 10.为了稳定输出电流和减小输入电阻，应在放大电路中引入（ ） 负反馈。 二.简答题 1.简述PN结特性。 伏安特性正偏时导通，反偏时截止 击穿特性3） 温度特性，温度影响导通电压和反偏电流 电容特性扩散电容势垒电容 开关特性 2.试根据放大电路的组成