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* 第5章 物质中光的吸收和发射 本章的内容安排: 一.气体中光的吸收和发射:主要搞清楚两个定律及其区别和两个概念; 二.固体光学的基本物理常数:主要搞清楚从电磁理论如何得到吸收系数与消光系数的关系以及电学参数和光学系数的关系,本节内容课堂上不重点讨论; 三.固体中光的吸收过程:重点掌握四个吸收过程; 四.固体的光发射:主要是了解一些概念,课堂上不重点讨论; 五.自发发射,受激发射和受激吸收:重点理解三者过程和它们之间的关系; 六.谱线的加宽机制:重点理解加宽的概念和原理. 一.气体中光的吸收和发射 一 .气体中光的吸收 二 .气体中光的发射 主要搞清楚什么是激发?什么是发射? 在研究气体中光的发射时,常把发光的全过程分成两步: 1.气体中可激活系统在吸收光子后跃迁到高能态:激发 2.气体中激活系统回复到较低能态而发射出光子:发射 搞清楚比尔定律和朗伯定律?两者的区别? 三.固体中光的吸收过程 关于固体中光的吸收,可以以一个假想的半导体吸收光谱为例进行讨论. 光的吸收有: 本征吸收; 激子吸收; 自由载流子吸收; 杂质吸收. 一 .理想半导体能带模型 能带模型结构图 Eg Ec k E Ec k Ev k Ev 吸收系数 100 本征吸收区 吸收边缘 激子吸收 自由载流子吸收 自由载流子吸收 杂质吸收 其它吸收 λ/μm 10-2 10-1 100 101 102 103 101 102 103 104 Ev k 及其下面的能带为一系列满带,最上面的一个满带称为价带; Ec k 及其上面的能带为一系列空带,最下面的一个空带称为导带.价带和导带之间的能量间隙为禁带宽度. 禁带宽度:价带顶与导带底之间的能量差: 理想半导体能带结构: Ev k 和Ec k 作为波矢k的函数,可取下列简单形式: 导带中电子的有效质量 价带中空穴的有效质量 理想半导体能带模型: 可以定性解释许多半导体物理现象； 具体半导体能带模型: 可以定量解释许多半导体物理现象, 实际能带结构要复杂的多。 在普朗克用辐射量子化假设成功解释了黑体辐射规律，以及玻尔提出原子中电子运动量子化假设的基础上， 四、固体的光发射 爱因斯坦从量子概念出发，重新推导了普朗克公式，在推导过程中提出了两个重要概念：受激辐射和自发辐射 爱因斯坦模型：每个振子两个能级 E2，n2 E1 ,n1 爱因斯坦认为: 辐射与原子的相互作用应有三个过程 。 哪三个过程? 五、自发辐射和受激辐射 1、自发辐射 自发跃迁定义? 自发辐射过程用自发跃迁几率A21来定义的 自发辐射定义？ E2 E1 处于高能级E2的一个原子自发地向低能级E1跃迁,并发射一个能量为hν的光子,这种过程称为自发跃迁 由原子自发跃迁发出的光波称为自发辐射 A21: 单位时间内n2个高能态原子中发生自发跃迁的原子数与n2的比值 单位时间E2所减少的粒子数为： 求自发辐射系数A21与原子高能级上的平均寿命关系? dn21 sp表示由于自发跃迁引起的由E2向E1跃迁的原子数 A21称为自发跃迁爱因斯坦A系数 约为10－8秒 2. 一个粒子的自发跃迁，只产生一个光子，且Δn1-Δ n2 2； 3.自发辐射的光子在方向、偏振、相位等方面均是随机的，互不相干。 自发跃迁特点? 1. 跃迁与外场无关，只与原子本身性质有关； 2、受激吸收 受激吸收跃迁定义？ 处于低能级E1的一个原子，在 频率为ν的辐射场作用下，吸收一 个能量为hν的光子并向高能级E2跃 迁,这种过程称为受激吸收跃迁 E2 E1 用受激吸收跃迁几率描述这一过程 受激跃迁与自发跃迁的不同地方？ 受激吸收的特点？ 受激吸收跃迁爱因斯坦系数， 受激吸收跃迁几率W12定义 dn12 st表示由于受激跃迁引起的由E1向E2跃迁的原子数 受激跃迁与自发跃迁是本质不同的两个物理过程: 跃迁几率A21只与原子本身有关，W12不仅与原子性质有关，还与辐射场单色能量密度成正比。 1 .W12与原子本身的性质有关和外界辐射场有关； 2 .一个粒子由E1到E2仅吸收一个光子。 3、受激辐射 受激辐射跃迁定义? 受激辐射定义? E2 E1 处于高能级E2的一个原子,在 频率为ν的辐射场作用下，向低 能级E1跃迁,并辐射一个能量为 hν的光子,这种过程称为受激辐射跃迁 由受激辐射跃迁发出的光波称为受激辐射 受激辐射跃迁几率定义? 受激辐射跃迁爱因斯坦系数 受激辐射跃迁特点? 注意：跃迁不一定有辐射 1 .W21与原子本身性质有关和外界辐射场有关； 2 .一个粒子由E2到E1仅产生一个光子； 3 .受激辐射的光子与激励它的光子处于同态:同频率,同相位,同偏振,同方向。 正是由于这个特点,我们才可以制造出激光器 单位时间里，处于低能态E1的每一个原子，跃迁至高能态E2的受激吸收概