半导体物理第三章02.pptVIP

所谓本征半导体就是一块没有杂质和缺陷的半导体。在热力学温度零度时，价带中的全部量子态都被电子占据，而导带中的量子态都是空的，也就是说，半导体中共价键是饱和的、完整的。 当半导体的温度 T0K时，就有电子从价带激发到导带去，同时价带中产生了空穴，这就是所谓的本征激发。由于电子和空穴成对产生，导带中的电子浓度 n0应等于价带中的空穴浓度 p0，即n0= p0 例外 InSb（锑化铟） Eg=0.17ev，而mp*/mn*=32,本征费米能级Ei已经远在中线之上。 式中Eg = Ec－Ev，为禁带宽度。从上式看出，一定的半导体材料，其本征载流子浓度ni随温度的升高而迅速增加;不同的半导体材料，在同一温度T时，禁带宽度越大，本征载流子浓度 ni就越小。 一般半导体器件中，载流子主要来源于杂质电离，而将本征激发忽略不计。 在本征载流子浓度没有超过杂质电离所提供的载流子浓度的温度范围，如果杂质全部电离，载流子浓度是一定的，器件就能稳定工作。 但是随着温度的升高，本征载流子浓度迅速地增加。例如在室温附近，纯硅的温度每升高 8K左右，本征载流子浓度就增加约一倍。而纯锗的温度每升高 12K左右，本征载流子浓度就增加约一倍。当温度足够高时，本征激发占主要地位，器件将不能正常工作。 因此，每一种半导体材料制成的器件都有一定的极限工作温度，超过这一温度后，器件就失效了。 例如，一般硅平面管采用室温 电阻率为 1欧姆.厘米左右的原材料，它是 由掺入5x1015cm-3的施主杂质锑而制成的。在保持载流子主要来源于杂质电离时，要求本征载流子浓度至少比杂质浓度低一个数量级，即不超过5 x 1014cm -3。如果也以本征载流子浓度不超过 5 x 1014cm -3的话，通过查得对应温度为526K，所以硅器件的极限工作温度是520K左右。 锗的禁带宽度比硅小，锗器件极限工作温度比硅低，约为 370K左右。砷化稼禁带宽度比硅大，极限工作温度可高达720K左右，适宜于制造大功率器件。 禁带宽度越大，达到本征激发占主导的温度就越高。 总之，由于本征载流子浓度随温度的迅速变化，用本征材料制作的器件性能很不稳定，所以制造半导体器件一般都用含有适当杂质的半导体材料。 即施主能级不用许被自旋方向相反的两个电子占据，所以不能使用电子的费米分布函数来描述。可以证明电子占据施主能级的概率是： 同理，对于受主杂质来说，如果费米能级远大于受主能级，则受主几乎全部电离。 由电中性条件 等式左边是单位体积中的负电荷数 ，实际上为导带中的电子浓度;等式右边是单位体积中的正电荷数，实际上是价带中的空穴浓度与电离施主浓度之和。 把n0，nD+和p0代入上式，取gD=2可以得到 式（3-42）除EF之外，其余量均为已知，因而在一定温度下可以将EF求出来。但是从上式求的EF一般解析式还是困难的，下面分析不同温度范围的情况。 T=0时，没有任何杂质原子电离，nD+=0，也没有电子从价带跃迁到导带(本征激发)，即导带是空的，价带是满的。 此时，杂质能级也是满的，每个施主能级都必须包含一个电子 这个状态称为束缚态 取对数后化简为 上式说明，在低温极限 T---0K时，费米能级位于导带底和施主能级间的中线处。 将费米能级对温度求微商，可以了解在低温弱电离区内费米能级随温度的变化。 结合 由于nD+ ≈ND 所以，费米能级位于施主能级之下 由于 则 将此时的费米能级公式 代入上式，则 D-代表未电离的施主占施主杂质数目的百分比 所以，杂质电离与温度、杂质浓度和杂质电离能都有关系。杂质达到全部电离的温度不仅决定于电离能，而且也和杂质浓度有关，杂质浓度越高，达到全部电离的温度越高。 课堂练习 试推导n型半导体（只有一种杂质）强电离区中费米能级EF与本征费米能级Ei和施主浓度的关系表达式。 可见，在一定温度时，若已知ni和ND，就能算出EF-Ei 当ni大时，EF-Ei小，半导体接近本征激发 当ni小时，EF-Ei大，半导体接近饱和区 为了求载流子的浓度，对n型半导体需求解方程组： 比较此时的n0 和p0表达式，可见电子的浓度比空穴的浓度大得多，这时半导体在过渡区更接近饱和区一边。 例如，室温时硅的本征载流子浓度ni为1*1010cm-3，若施主浓度为ND=1016cm-3，则空穴的浓度为104cm-3，而电子的浓度 此时电子为多数载流子，空穴为少数载流子。后者的数量虽然很少，但在半导体器件的工作中却起着极其重要的作用。 （5）高温本征激发区 继续升高温度，使得本征激发产生的载流子数目多于杂质电离产生的载流子数目，即n0ND，p0ND。此时电中性条件为n0=p0