光盘技术01-4.docVIP

（5）光电二极管的特性 （ⅰ）电流-电压特性：首先看一下在黑暗处给光电二极管加载电压的情况，图1.53所示的是给二极管加反向电压的情况，即给N型的一方加正电压，P型一方加负电压，这时运载电流的N性中的电子和P型中的空穴受到离开结合部的力，所以交界面的电位差越来越大，电流几乎不流动。若给二极管加正向电压，即P型部分加正电压、N型部分加负电压，则电子和空穴都受到向对方区域流动的力，减小了交界面的电位差，电流可以流动，因此根据在黑暗处给光电二极管加压所得的电压与电流关系的试验结果可以得到如图1.55中曲线①所示的特性。如果受到光的照射，则曲线由①向②移动，进一步增强光照，则会移动到曲线③，曲线是随着光的强度增加并行移动的，也就是与光强度成比例的光短路电流Ish是从正极向负极流动的，其电流值与元件的面积成正比。另外当回路开路时，以正极为正产生开路电压VOP，这个电压与元件的面积无关几乎是固定的。光电流Ish对入射光量具有良好的直线性，具有电流值达6～8位的直线范围，开路电压VOP与光量变化呈对数变化关系，对温度也显示了很大的变化情况。 如图1.55(a)中的曲线①所示，在黑暗中给光电二极管加反向电压，会有极微弱的电流流动，这种电流称为暗电流，是在使用反向电压时产生噪音的原因。表示这种暗电流的方法有两种，一种是看在OV附近的电压电流比（并联电阻），一种是看实用电压下的电流。 （ⅱ）分光灵敏度 如前所述，若光能（hv）大于光电二极管禁止带的宽度，则光被吸收，产生电子-空穴对，形成光电流。换句话说，就是如果具有比禁止带宽大的光的波长又变短了的话，就产生光电流。但是，一旦变为短波长，则光在表面就被吸收，即使产生了电子-空穴对，也几乎不能到达耗尽层就再次结合了，因此短波长越多，灵敏度越低。图1.56给出了典型的分光灵敏度的例子。 光电二极管在选择时，还须注意其对所用半导体激光的灵敏度特性，经常使用的术语是放射灵敏度（A/W），就是用光电流（A）与入射光量（W）之比表示灵敏度特性。 （ⅲ）反向偏压电压 即使没有外部电源，也可使光电二极管工作，但为了提高响应速度和线性范围（上限），一般采用外加反向偏压电压的方法。 如图1.53所示，外加的反向偏压电压几乎都加在耗尽层上，因此在耗尽层中产生的电子与空穴被电场高速偏流，从而可得到对光的快速响应性。在几乎没加载电场的P型和N型部分产生的电子-空穴对中，随扩散到达耗尽层的，就成为了光电流，其余的电子和空穴在扩散过程中再次结合消失了。 如图1.57所示，在具有相同负载电阻RL的电路中，比较加载反向偏压电压和不加载时的情况，就可以清楚加载反向偏压电压提高直线性上限的原因了。若附加较小负载电阻，则即使不加载反向偏压也能扩大直线性的范围，但检出电压V=-IDRL不能很大。图1.58给出了直线性的上限的例子。 如上所示，加载反向偏压电压可以改善响应时间和扩大线性范围，但是会使暗电流增大、噪音增大，如果反向电压过大，还有可能破坏光电二极管。 PinPD不仅响应特性好，而且在加载反向偏压电压时的暗电流和耐性也很好。 （ⅳ）响应速度 用光开始照射到因光照而产生的电子空穴时，形成电流流到外部电路所需的时间表示光电二极管的响应时间，响应速度通常用对间隔状的输入光而产生的电流的上升时间（tr）或下降时间（tf）规定，用输出从稳定值（稳定后的固定值）的10%变化到90%所需的时间表示。 上升时间大致可由用两端静电容量Ct与负载电阻RL规定的时间常数τ1和耗尽层外产生的电子-空穴的扩散时间τ2决定。如前所述，当给光电二极管加载反向偏压电压时，在耗尽层会增加正负对峙的空间电荷，因此可将结合面看作一个静电容，其容量称为结合电容量Cj,结合电容量与受光面积成正比，与反向偏压电压VR的2次方到3次方成反比。 两端静电容量Ct用结合电容量Cj与外壳的静电容量之和表示，当两端静电容量Ct的影响处于支配地位时，上升时间tr有如下关系（见式（1-33））。 因此为了得到较快的响应速度，只要减小结合电容量Cj外加反向偏压电压即可。在耗尽层外生成的电子与空穴的扩散时间达数Msec以上非常慢，作为光盘驱动器中使用是不希望有的。PinPD因两端静电容量小，耗尽层外产生的电子空穴对产生率低，所以高速响应性好。 （ⅴ）信号分离特性 在聚焦伺服系统和跟踪伺服系统中，激光的接受需要的是将受光部分进行2分隔或象图1.59那样的4分割的受光元件，要使受光部分的晶格形状与光学系统的规格相对应。 如图1.60所示，通常只把