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电路与模拟电子技术基础习题 图7.1 习题7.1图 a UGSQ －2V， b UGSQ 3V，ID －12× 1－3/6 －3 mA 7.2 电路如图7.2所示，MOSFET的UT 2V，K 50mA/V2，确定电路Q点的IDQ和UDSQ值。 7.3 试求图7.3所示每个电路图的UDS，已知|IDSS| 8mA。 a UGSQ 0 V IDQ IDSS 8 mA UDSQ VDD－IDQRd 12－8×1 4 V b UGSQ 0 V IDQ IDSS 8 mA UDSQ VDD－IDQRd 15－8×1.2 5.4 V c UGSQ 0 V IDQ IDSS －8 mA UDSQ VDD－IDQRd －9+8×0.56 －4.52 V 图7.2 习题7.2电路图 图7.3 习题7.3电路图 7.4 某MOSFET的IDSS 10mA且UP －8V。 1 此元件是P沟道还是N沟道？ 2 计算UGS －3V是的ID； 3 计算UGS 3V时的ID。 1 N沟道； 2 3 7.5 图7.4所示为场效应管的转移特性，请分别说明场效应管各属于何种类型。说明它的开启电压（或夹断电压）约是多少。 图7.4 习题7.5图 a N沟道 耗尽型FET UP －3V； b P沟道 增强型FET UT －4V； c P沟道 耗尽型FET UP 2V。 7.6 图7.5所示为场效应管的输出特性曲线，分别判断各场效应管属于何种类型（结型、绝缘栅型、增强型、耗尽型、N沟道或P沟道），说明它的夹断电压（或开启电压）为多少。 图7.5 习题7.6图 a JFET P沟道 UP 3V； b 耗尽型 N沟道FET UP －1.0V 7.7 画出下列FET的转移特性曲线。 1 UP －6V，IDSS 3mA的JFET； 2 UP －6V，IDSS 1mA的MOSFET； 3 UT 8V，K 0.2mA/V2的MOSFET。 1 2 3 7.8 试在具有四象限的直角坐标上分别画出各种类型场效应管的转移特性示意图，并标明各自的开启电压或夹断电压。 7.9 判断图7.6所示各电路是否有可能正常放大正弦信号。 图7.6 习题7.9电路图 a 能放大 b 不能放大，增强型不能用自给偏压 c 能放大 7.10 试判断图7.7所示电路中，哪些具有电压放大作用，如不具有电压放大作用，如何改正才能使其有电压放大作用。 a 不能放大，缺少Rd b 不能放大，共漏，可增加Rd，并改为共源放大 c 不能放大，增强型不能采用自给偏压，须改为分压偏置 d 能放大 图7.7 习题7.10电路图 7.11 图7.8 a 所示电路中的场效应管的转移特性为图7.8 b 所示，试求解该电路的、和。 图7.8 习题7.11图 由图 a 可知：UGS －1V，由图 b 可得 ID 2mA，可求得：UDS 12－2×5 2V 7.12 电路如图7.8所示，已知FET的IDSS 3mA、UP －3V、U BR DS 10V。试问在下列三种条件下，FET各处于哪种状态？ 1 Rd 3.9kΩ； 2 Rd 10kΩ； 3 Rd 1kΩ。 UGSQ 0 V ∴IDQ IDSS 3mA 1 UDSQ 15－3×3.9 3.3 V ∴处于恒流区； 2 UDSQ 15－3×10 －15 V ∴处于可变电阻区； 3 UDSQ 15－3×1 12 V ∴处于击穿区。 7.13 电路如图7.9所示，已知VT在UGS 5V时的ID 2.25mA，在UGS 3V时的ID 0.25mA。现要求该电路中FET的VDQ 2.4V、IDQ 0.64mA，试求： 1 管子的K和UT的值； 2 Rd和RS的值应各取多大？ ID K UGS-UT 2 2.25 K 5-UT 2 0.25 K 3-UT 2 → UT1 3.5 V 不合理，舍去 ，UT2 2 V 求得：K 0.25mA/V2，UT 2V VDQ VDD-IDQ·Rd 2.4 12－0.64Rd →Rd 15kΩ →UGSQ1 0.4 V 不合理，舍去 UGSQ2 3.6 V UGSQ 10－0.64·Rs ∴Rs 10kΩ 7.14 电路如图7.10所示，已知FET的UT 3V、K 0.1mA/V2。现要求该电路中FET的IDQ 1.6mA，试求Rd的值应为多大？ 图7.8 习题7.12图 图7.9