用锁相放大器测量结电容.docVIP

潘明良 数理092 0912400216 实验内容用锁相放大器测量结电容 【实验目的】 1.了解通过测量不同偏压下p-n结势垒电容求杂质分布的原理和方法 2.学习使用锁相放大器 【实验原理】 1.p-n结的势垒电容 在器件的使用温度范围内，p-n结的点穴性能由杂质决定。即多子浓度与掺杂浓度相等而少子浓度比杂质浓度低得多。因此，p区和n区交界处存在着空穴和电子的浓度梯度。p区的空穴要想n区域扩散，放在p区剩下带负电的电离受主，形成一个带负电荷的区域。同样，n区的电子要想p区扩散，在n区剩下带正电的电离施主，形成一个带正电荷的区域。这样在p区和n区交界面两侧形成的带正负电荷的区域叫空间电荷区域。 图1 p-n结的结电容 给p-n结加上反偏电压VR，空间电荷区的宽度w和空间电荷区域所带的空间电荷量Q都会发生变化。定义为p-n结的结电容，这是个微分方程，它是p-n结的势垒电容。为了简单起见，下面我们只讨论突变结。突变结p区的杂质浓度为NA，n区的杂质浓度为ND，p区和n区的交界处，杂质分布有一突变。如果一边的杂质浓度比另一边大得多，则称之为单边突变结。可以证明，单边突变结的结电容 又由 得到 2.结电容的测量方法 在反向