真空热蒸镀(VTE)技术.docVIP

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真空热蒸镀(VTE)技术

有機奈米薄膜/真空熱蒸鍍金屬界面反應於高效率有機共軛高分子發光二極體元件之研究 楊富順1, 蔡仁傑1, 郭宗枋, 謝松年2, 溫添進2, 鍾嘉珽3, 吳慶應3 1 國立成功大學光電科學與工程研究所,台南,台灣 國立成功大學化所,台南,台灣,台南,台灣guotf@mail.ncku.edu.tw 摘要 在我們研究結果中發現,若能在共軛有機發光層與陰極金屬的接觸界面,佈置一特定官能性的有機奈米薄膜層,在使用Al電極的情形下 非的金屬材料 ,元件電激放光的效率值顯示出兩個級數以上的提升。我們推論是由於高真空下熱蒸鍍的陰極金屬原子,與佈置在表層的有機官能性薄膜進行界面摻雜的化學反應,此特定的奈米結構層可在較低的操作電壓之下,誘發陰極的電子載子穿襚注入至有機發光層內,大幅的改善有機發光二極體元件的操作電壓與效率表現值。:有機奈米薄膜層,有機發光二極體元件electroluminescence EL efficiency by two orders of magnitude for poly 2-methoxy-5- 2 -ethylhexyloxy -1,4-phenylene vinylene MEH-PPV based polymer light-emitting diodes PLED while employing Al as the cathode with an ultrathin layer of poly ethylene oxide PEO . EL efficiencies of MEH-PPV PLEDs for the device with PEO/Al cathode was 1.50 cd/A, which is two orders of magnitude higher than that of the Al cathode device, 0.017 cd/A. We regard the formation of specific interaction and reaction at the PEO layer during the cathode deposition, which results in the enhanced injection of electrons. Keywords: polymer light-emitting diodes PLED , ultrathin layer 前言 考慮電子載子能有效率注入有機發光二極體Ca、BaMg等低功函數的電極材料[1-3],然而低功函數的元件陰極材料對大氣中的水、氧氣反應性相當的高,陰極本身或者是接觸界面之間的劣化反應,限制了共軛有機分子發光元件的壽命與其操作穩定性[4, 5]。Al於元件陰極上,其亮度跟效率都有將近一百倍的提升;Ca/Al 和LiF/Al為元件陰極的元件,其效率也有著兩倍以上的提升。以poly[2-methoxy,5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene](MEH-PPV)為發光層ITO玻璃(indium-tin oxide)為基ITO玻璃上以旋轉塗佈的方式製作電洞傳輸層(PEDOTPSS Bayer Corp. 4083)來製作有機發光二極體元件,poly(ethylene oxide) (PEO) (Aldrich, Mv ca. 400,000),,0.01 wt% PEO/Acetonitrile,6000轉的高轉速以旋轉塗佈的方式佈滿於MEH-PPV發光層上, Fig. 1 元件的I-L-V curves分析圖可看出,minority carriers)注入至有機發光層內,提供電荷載子注入的新路徑,因此使得發光啟動電位明顯提前了將近2~3伏特;,Al的功函數,降低了Al與LUMO間的能障高,進而加強了電子的注入與元件效率的提升[6-9]。 對於這些結果,我們Fowler-Nordhiem (F-N)10]來做了以下的檢視。IF 2exp(-κ/F)I 是元件電流,F 是偏壓的電場,κ 則是與注入能障形狀有關的參數[9,1 Fig. 2 分別呈現有Al及PEO/Al為陰極元件ln(I/F 2) vs 1/F Al當陰極的MEH-PPV元件裡,臨界載子注入後曲線將會隨著 F-N 所預言的在ln(I/F 2)vs 1/F F-N曲線中的直線線段指出,載子一開始的注入,是電洞以穿隧的過程注入MEH-PPV,隨著電場的增加,F-N 曲線背離了原本預計的直線,這偏離的原因暗示著空間電荷在 Polymer/Al的接面聚集,因為在PPV裡的電荷載子移動力是相當低的,空間電荷限制了電洞穿隧因有的情形[11-13]。空間電荷限制情形可由Fig. 2 插圖的

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